Приемники непрерывных сигналов
Эскизный расчет
курсового проекта
Приемники
непрерывных сигналов
1. Разбиение диапазона частот на поддиапазоны
1.Коэффициент перекрытия диапазона (показывает во сколько
раз максимальная несущая частота входного сигнала больше минимальной ):
(1)
где -
максимальная и минимальная несущая частота входного сигнала.
2.Выбор элементов перестройки контуров приемника
Для контуров с сосредоточенными параметрами перестройку
по частоте можно осуществлять:
конденсатором переменной емкости =2,5-3
катушкой переменной индуктивности =1,4-3
варикапом =2,3-2,7
где -
максимальные значения коэффициентов перекрытия диапазона различными реактивными
элементами контуров.
3.Так как >, то приемник однодиапазонный.
2.Полоса пропускания линейного тракта приемника
Полоса пропускания линейного тракта приемника:
=+(2)
где -
ширина спектра полезного сигнала, равная:
(3)
( -
верхняя частота модуляции),
-
запас по полосе, обусловленный нестабильностью передатчика, равный:
(4)
(-
относительная нестабильность частоты передатчика)
(5)
Если /<1,2 , то расширение полосы
пропускания приемника за счет нестабильности частоты передатчика незначительно
и принимаем полосу пропускания линейного тракта приемника равной П. Если же />1,2 расширение полосы существенно и требует
введения системы ЧАП. В этом случае:
(6)
где =10-35
–коэффициент передачи системы ЧАП.
(7)
Так как /<1,2, то останавливаемся на
введение системы ЧАП
3. Выбор структуры преселектора для обеспечения требуемой
избирательности
В данном разделе выбираются фильтры преселектора,
позволяющие обеспечить требуемое подавление двух основных паразитных каналов
приемника - зеркального и канала прямого прохождения.
Приводимый расчет предполагает знание промежуточной
частоты приемника. Задаемся промежуточной частотой проектируемого приемника:
(8)
(-
средняя несущая частота входного сигнала) для КВ диапазона (3МГц - 30МГц) и УКВ
диапазона (30МГц - 300МГц);
(9)
Далее последовательно для каждого из паразитных каналов
находим структуру преселектора.
А) Определение структуры преселектора, обеспечивающей
подавление зеркального канала.
Находим обобщенную расстройку зеркального канала:
(10)
где -
частота зеркального канала.
(11)
Эквивалентное затухание контуров тракта сигнальной
(высокой) частоты dэсч выбирается из таблицы 1.
(12)
Таблица
1
Для наименьшего из полученных в многодиапазонных
приемниках (худший вариант) и
требуемого подавления зеркального канала находим по рис.1, вид избирательной системы,
подавляющей паразитный зеркальный канал. На этом рисунке номер кривой
соответствует виду фильтровой системы преселектора:
1 – ОКК (одиночный колебательный контур),
2 – ДПФ (двойной полосовой фильтр),
3 – два ОКК,
4 – ДПФ и ОКК,
5 – три ОКК,
6 – два ДПФ,
7 – ДПФ и два ОКК,
8 – два ДПФ и один ОКК,
9 – три ДПФ,
10 – ДПФ при и ОКК с
Рис.1
Б) Определение структуры преселектора, обеспечивающей
подавление канала прямого прохождения.
Находим обобщенную расстройку канала прямого прохождения:
(13)
Обычно обобщенная расстройка канала прямого прохождения
много больше обобщенной расстройки зеркального канала, то есть <<. Это говорит о том, что паразитный канал прямого
прохождения расстроен относительно полезного сигнала гораздо сильнее по
сравнению с зеркальным каналом. В этом случае можно утверждать, что выбранная
ранее избирательная система для подавления зеркального канала надежно подавит и
паразитный канал прямого прохождения.
4. Выбор структуры УПЧ
В данном разделе выбираются фильтры УПЧ, позволяющие
обеспечить требуемое подавление соседнего канала.
Для выбора фильтров необходимо выяснить по техническому
заданию величину требуемого подавления и рассчитать коэффициент прямоугольности требуемой
АЧХ УПЧ:
(14)
где -
расстройка по соседнему каналу
Наиболее широкое распространение в каскадах УПЧ получили
ФСС (фильтры сосредоточенной селекции), параметры которых приведены в таблице
2.
Выбирая ФСС надо учитывать, что его подавление должно
быть не меньше требуемого по ТЗ, а коэффициент прямоугольности - не больше
требуемого. Выбрав фильтр и определив по таблице 2 его коэффициент , определяем частоту, на которой
ФСС будет работать:
(15)
где -
эквивалентное затухание контуров на первой промежуточной частоте (Таблица 1).
(16)
Таблица 2
Вид фильтра
|
Число LC контуров
|
Коэффициент
|
Число каскадов
|
1
|
2
|
ФСС
|
ЧетыреLC контура
|
|
2,2
|
1,3
|
|
3,7
|
1,7
|
|
0,35
|
0,385
|
ФСС
|
ПятьLC контуров
|
|
1,8
|
1,2
|
|
2.7
|
1.5
|
|
0,35
|
0.385
|
ФСС
|
ШестьLC контуров
|
|
1,52
|
1,15
|
|
2,2
|
1,3
|
|
0.35
|
0,385
|
5.Выбор количества преобразований частоты в приемнике
При выборе структуры преселектора в третьем разделе была
выбрана первая промежуточная частота приемника, при выборе структуры УПЧ –
вторая. Так как , приемник
выполняется с двойным преобразованием частоты с .
6. Допустимый коэффициент шума приемника
Нахождение максимально допустимого коэффициента шума
приемника производится по формуле (17):
где -
чувствительность приемника,
к =1,39дж/град
– постоянная Больцмана,
=293К – температура по Кельвину,
=1,1П
– шумовая температура приемника,
(18)
-
сопротивление антенны.
-
отношение сигнал/шум на входе детектора, производится по формуле (19):
где -
отношение сигнал/шум на выходе детектора. В формулу (19) подставляется в разах по напряжению;
-
пик-фактор сигнала;
-
максимальный индекс Ам сигнала;
-
полоса пропускания УНЧ;
(20)
7. Коэффициент шума приемника
Коэффициент шума приемника определяется через
коэффициенты шума отдельных каскадов приемника по формуле:
(21)
где -
коэффициенты шума входной цепи , усилителя сигнальной частоты и преобразователя
частоты соответственно,
-
коэффициенты передачи по мощности входной цепи и усилителя сигнальной частоты.
Коэффициенты шума и коэффициенты передачи по мощности
отдельных каскадов приемника приведены в таблице 3.
Таблица 3
Вид каскада
|
Коэффициент шума
|
Максимальный коэффициент усиления по мощности
|
Одноконтурная входная цепь
|
|
1/(1+а)
|
Усилитель на транзисторе:
с общим эмиттером
с общей базой
- по каскодной схеме
|
|
|
Преобразователь частоты:
на транзисторе с общим эмиттером
на транзисторе с общей базой
- на тунельном диоде
|
5…12
|
10…30
|
В Таблице 3:
а – коэффициент, который равен для диапазонных приемников
а=0,5;
-
коэффициент шума выбранного транзистора, который в справочниках задается в дБ,
а в формулу (12) подставляется в разах по мощности;
-
параметры транзистора.
В Приложении 1 приведены некоторые наиболее широко
используемые транзисторы. В приложении 2 – формулы для расчета параметром этих
транзисторов. В Приложении 3 перевод дБ в разы.
Проверкой правильности выбора транзистора служит
выполнение условия:
(22)
Выбираем транзистор КТ3127А с параметрами:
Параметры биполярных транзисторов
Тип транзистора
|
(МГц)
|
(Ом)
|
|
(пФ)
|
(пС)
|
Шт (дБ)
|
(Ом) (Ом)
|
КТ3127А
|
600
|
6
|
150
|
1
|
10
|
5
|
5 10
|
Шт=5дБ=3,2раз ;
Найдем коэффициенты шума входной цепи , усилителя
сигнальной частоты и преобразователя частоты соответствен:
=1/0,5=2 (23)
2 Шт=2∙3,2=6,4
(24)
4 Шт=4∙3,2=12,8
(25)
Найдём коэффициенты передачи по мощности входной цепи и
усилителя сигнальной частоты:
1/(1+а)=
1/(1+0,5)=0,67 (26)
= (27)
Обратная проводимость транзистора определяется по
формуле:
= ????? (28)
Найдём прямую проводимость (крутизну) транзистора:
== (29)
= (30)
Коэффициент шума приемника по формуле (31):
=
условие
выполнено, транзистор выбран правильно.
8. Расчет коэффициента усиления приемника и распределение
усиления по каскадам
Обобщенная структурная схема приемника приведена на рис.3
Рис.3
1.Расчет числа каскадов тракта сигнальной частоты
Для этого вычисляется требуемое усиление:
(32)
где -
чувствительность проектируемого приемнока,
-
напряжение на входе первого преобразователя частоты, равное 30…40мкВ для
биполярных транзисторов (БТ).
Определим необходимое число каскадов N в тракте сигнальной
частоты, обеспечивающее требуемое усиление:
(33)
где -
уточненный коэффициент передачи входной цепи ( - коэффициент, определяемый по таблице 4)
= (34)
-
коэффициент усиления усилителя сигнальной частоты равняется коэффициенту
устойчивого усиления транзистора. Формулы для расчета приведены в таблице 5.
==17,33 (35)
Таблица 4
Вид входной цепи
|
Тип транзистора в УСЧ
|
|
ОКК
ОКК
|
Полевой транзистов
Биполярный транзистор
|
10
100
|
ДПФ
ДПФ
|
Полевой транзистов
Биполярный транзистор
|
|
В таблице 4 - параметр связи между контурами ДПФ.
Таблица 5
Вид усилительного каскада
|
Тип транзистора
|
Схема включения транзистора
|
|
На одном транзисторе
|
Биполярный
|
С общим эмиттером
С общей базой
|
|
На одном транзисторе
|
Полевой
|
С общим истоком
С общим затвором
|
|
Каскодная схема
|
Биполярные
|
--
|
|
Каскодная схема
|
Полевые
|
--
|
|
=>
неверно, поэтому перехожу на каскадную схему включения, у которого:
Или же можно взять 2 каскада на одном транзисторе
40<270
= (36)
Выходная проводимость транзистора:
(37)
Тогда коэффициент усиления усилителя сигнальной частоты
равняется:
(38)
N=1
2. Определить число каскадов тракта первой промежуточной
частоты.
Число каскадов тракта первой промежуточной частоты N
определяется по аналогии с первым пунктом данного раздела: сначала определяется
необходимое усиление в этом тракте, а уже затем необходимое число каскадов.
Обобщенная формула вычислений:
(39)
где напряжение
на входе второго преобразователя частоты, равное 300…400мкВ для биполярных
транзисторов (БТ).
= (40)
Найдём прямую и обратную проводимости транзистора:
== (41)
= (42)
коэффициент усиления усилителя сигнальной частоты
равняется:
(43)
N=1
Необходимо отметить, что чем ниже частота , тем выше
коэффициент устойчивого усиления транзисторов.
3. Определить число каскадов тракта второй промежуточной
частоты.
Вычисления проводятся по формуле:
(44)
где -
напряжение на входе детектора, равное (0.5…1)В для АД, СД, ЧД (с настроенными
или расстроенными контурами ) и (30…50)мВ для дробного ЧД;
=5…10
– коэффициент запаса.
Берем транзистор КТ 342 В
= (45)
Найдём прямую и обратную проводимости транзистора:
== (46)
= (47)
коэффициент усиления усилителя сигнальной частоты
равняется:
(48)
N=4
4.Определить усиление в тракте низкой частоты.
Коэффициент усиления в тракте низкой частоты равняется:
(49)
где =2…5
– коэффициент запаса,
=(0,8…0,9)
= (50)
Определяем напряжение в нагрузке:
=В (51)
В тракте низкой частоты для обеспечения необходимого
усиления целесообразно использование микросхем, некоторые из которых приведены
в Приложении 4.
Параметры и схемы включения микросхем серии К226,
предназначенные для усиления низкой частоты.
Таблица 4.
Серии МС
|
|
(кГц)
|
|
|
|
К 226 УН1А,Б,С
|
250…350
|
0, 2…100
|
+12,-6
|
|
|
Входная емкость микросхемы не 226 превышает 20пФ.
9. Определение числа каскадов приемника, охватываемых АРУ
В ТЗ приведен коэффициент регулирования АРУ, показывающий
динамический диапазон изменения входного и выходного сигнала. Для проведения
дальнейших расчетов эти динамические диапазоны надо перевести дБ по напряжению
и вычислить динамический диапазон АРУ:
(52)
Число охватываемых каскадов N равняется:
(53)
где -
динамический диапазон регулировки одного каскада
(54)
-
число охватываемых каскадов АРУ
10.Составление структурной схемы проектируемого приемника
Обобщенная структурная схема приемника приведена на рис.4
Рис.4
Особенности построения структурной схемы приемника
следующие:
в диапазонном приемнике необходимо показать сопряженную
перестройку каскадов ВЦ, УСЧ и Г приемника;
около каждого вида устройства показать их количество N=?
и тип фильтров (ОКК; ДПФ, ФСС), а также тип микросхемы;
ввести АРУ и показать какое количество усилительных
каскадов охватывает система АРУ;
показать ЧАП или ФАП промежуточной частоты, уменьшающий
запас по полосе приемника, если расчеты показали, что он необходим;
вместо Д, показанного на рис.4, необходимо ввести
конкретный вид этого детектора:
для АТ сигналов – АД,
для ЧТ сигналов – ЧД ( перед «обычным» ЧД необходим
ограничитель),
для сигналов с ОМ – СД (синхронный детектор). Обычно СД –
это ФД, который формирует выходной сигнал с учетом не только разности фаз
входных колебаний, но и их амплитуд. Для работы любого ФД необходимо опорное
колебание. Для ОМ колебаний с остатком несущей опорное колебание выделяется в
ФОН (фильтр остатка несущей) и поддерживается системой ФАП (рис.5). Для ОМ
колебаний с полностью подавленной несущей опорное колебание формируется в
высокостабильном генераторе (рис.6). Как следует из рисунков, перед СД ставится
ФБП (фильтр боковой полосы), выделяющий спектр полезного сигнала, содержащийся
в боковой полосе.
Рис. 5
Рис.6
Приложение 1
Тип транзистора
|
(МГц)
|
(Ом)
|
|
(пФ)
|
(пС)
|
Шт (дБ)
|
(Ом) (Ом)
|
КТ 342 В
|
300
|
200
|
400
|
4
|
700
|
7
|
5 50
|
КТ 306 А
|
500
|
30
|
30
|
5
|
500
|
15
|
30 100
|
КТ 306 Б
|
650
|
30
|
60
|
5
|
500
|
15
|
30 100
|
КТ 3126 А
|
500
|
7
|
100
|
2,5
|
15
|
8
|
5 6
|
КТ 3127 А
|
600
|
6
|
150
|
1
|
10
|
5
|
5 10
|
КТ 316 А
|
600
|
17
|
60
|
3
|
50
|
10
|
15 16,7
|
КТ 316 Б,В
|
800
|
17
|
120
|
3
|
50
|
10
|
15 16,7
|
КТ 316 Г
|
600
|
17
|
100
|
3
|
150
|
10
|
15 50
|
КТ 316 Д
|
800
|
17
|
300
|
3
|
150
|
10
|
15 50
|
КТ 3128 А
|
800
|
7
|
150
|
1
|
5
|
5
|
6 5
|
КТ 397 А
|
800
|
25
|
300
|
1,3
|
40
|
6
|
20 30,8
|
КТ 3109 А
|
800
|
8
|
15
|
1
|
10
|
6
|
7 10
|
ГТ 311 А
|
770
|
8
|
70
|
1,8
|
50
|
8
|
8 27,8
|
ГТ 311 Б
|
1500
|
8
|
80
|
1,5
|
100
|
5,1
|
8 66,7
|
ГТ 311 Г
|
1500
|
8
|
60
|
1,5
|
75
|
5,1
|
8 50
|
ГТ 311 Д
|
1500
|
7
|
110
|
1,5
|
75
|
5,1
|
8 50
|
ГТ 329 А
|
1200
|
22
|
100
|
2
|
15
|
4
|
10 7,5
|
Т 341 А
|
1950
|
60
|
60
|
1
|
10
|
4,5
|
30 10
|
КТ 382 А
|
2250
|
3
|
330
|
2
|
6
|
3
|
3 3
|
КТ 382 Б
|
2250
|
3
|
330
|
0,7
|
5,5
|
4,5
|
3 2,8
|
КТ 372 А
|
2400
|
20
|
10
|
1
|
9
|
3,5
|
8 9
|
КТ 372 Б
|
3000
|
20
|
10
|
1
|
9
|
3,5
|
8 9
|
КТ 371 А
|
3600
|
10
|
200
|
1,2
|
10
|
5
|
8 8,3
|
Т 362
|
4800
|
5
|
200
|
1
|
10
|
4
|
8 10
|
ГТ 362 Б
|
4800
|
5
|
200
|
0,5
|
30
|
4
|
8 6
|
КТ 391 А
|
7000
|
8
|
150
|
0,7
|
3,7
|
4,5
|
7 5,3
|
КТ 391 Б
|
7000
|
8
|
150
|
1
|
3,7
|
4,5
|
7 5,3
|
КТ 368 А
|
7000
|
6
|
300
|
1,7
|
15
|
3,3
|
5 2,8
|
КТ 368 Б
|
7000
|
6
|
300
|
1,7
|
15
|
2,8
|
5 2,8
|
КТ 3115 А-2
|
7500
|
9
|
20
|
0,6
|
9
|
5
|
7 15
|
КТ 3124 А-2
|
8000
|
6
|
200
|
0,6
|
2,5
|
5
|
5 4,2
|
КТ 610 А
|
10000
|
12
|
300
|
4,1
|
55
|
6
|
10 13,4
|
КТ 610 Б
|
7000
|
12
|
300
|
4,1
|
22
|
6
|
5,4
|
Приложение 2
Параметры транзисторов на частотах ниже 500 МГц.
При включении транзисторов в усилительный каскад по схеме
с общим эмиттером параметры транзистора приведены в таблице 1, где:
-
прямая проводимость (крутизна) транзистора,
-
обратная проводимость транзистора,
-
выходная проводимость транзистора,
-
входная проводимость транзистора.
Таблица 1
Параметры транзистора
|
Расчетные формулы
|
|
|
|
|
|
|
|
|
где
,
При включении транзисторов в усилительный каскад по каскадной
схеме (ОЭ-ОБ) параметры транзисторов приведены в таблице 2.
Таблица 2
Параметры транзистора в схеме с ОЭ
|
Параметры транзистора в схеме с ОЭ ОБ
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Приложение 3
Таблица отношений напряжений и мощностей
N (дБ)
|
|
|
N (дБ)
|
|
|
N (дБ)
|
|
|
0
|
1,0
|
1,0
|
2,1
|
1,27
|
1,62
|
7,0
|
2,2
|
5,02
|
0,1
|
1,012
|
1,024
|
2,2
|
1,29
|
1,66
|
8,0
|
2,5
|
6,31
|
1,024
|
1,048
|
2,3
|
1,31
|
1,7
|
9,0
|
2,8
|
8,0
|
0,3
|
1,035
|
1,07
|
2,4
|
1,32
|
1,74
|
10,0
|
3,2
|
10,0
|
0,4
|
1,047
|
1,09
|
2,5
|
1,34
|
1,8
|
11,0
|
3,58
|
13,0
|
0,5
|
1,06
|
1,12
|
2,6
|
1,35
|
1,82
|
12,0
|
4,0
|
16,0
|
0,6
|
1,07
|
1,14
|
2,7
|
1,365
|
1,86
|
13,0
|
4,5
|
20,0
|
0,7
|
1,085
|
1,17
|
2,8
|
1,38
|
1,9
|
14,0
|
5,02
|
25,1
|
0,8
|
1,097
|
1,2
|
2,9
|
1,4
|
1,95
|
15,0
|
5,67
|
31,0
|
0,9
|
1,11
|
1,23
|
3,0
|
1,42
|
2,0
|
16,0
|
6,31
|
40,0
|
1,0
|
1,12
|
1,26
|
3,1
|
1,437
|
2,048
|
17,0
|
7,1
|
51,0
|
1,1
|
1,135
|
1,29
|
3,2
|
1,45
|
2,096
|
18,0
|
8,0
|
64,0
|
1,2
|
1,148
|
1,3
|
3,3
|
1,47
|
2,14
|
19,0
|
8,96
|
80,0
|
1,3
|
1,161
|
1,3
|
3,4
|
1,486
|
2,18
|
20,0
|
10
|
100
|
1,4
|
1,17
|
1,3
|
3,5
|
1,5
|
2,24
|
30,0
|
32
|
|
1,5
|
1,19
|
1,4
|
3,6
|
1,52
|
2,28
|
40,0
|
100
|
|
1,6
|
1,2
|
1,4
|
3,7
|
1,54
|
2,34
|
50,0
|
320
|
|
1,7
|
1,22
|
1,48
|
3,8
|
1,557
|
2,4
|
60,0
|
|
|
1,8
|
1,23
|
1,52
|
3,9
|
1,57
|
2,46
|
70,0
|
|
|
1,9
|
1,245
|
1,55
|
4,0
|
1,6
|
2,5
|
80,0
|
|
|
2,0
|
1,26
|
1,6
|
5,0
|
1,8
|
3,2
|
90,0
|
|
|
|
|
|
6,0
|
2,0
|
4,0
|
100.0
|
|
|
Приложение 4
Параметры и схемы включения микросхем серии К 226,
предназначенные для усиления низкой частоты
Серии МС
|
|
(кГц)
|
|
|
|
К 226 УН1А,Б,С
|
250…350
|
0,2…100
|
+12,-6
|
|
|
К 226 УН2А,Б,С
|
25…35
|
0,02…100
|
+12,-6
|
|
|
К 226 УН3А,Б,С
|
270…330
|
0,02…100
|
+6,-9
|
|
|
К 226 УН4А,Б,С
|
9…11
|
0,02…100
|
+6,-9
|
|
|
К 226 УН5А,Б,С
|
90…100
|
0,02…100
|
+12,-6
|
|
|
Входные емкости вышеперечисленных микросхем не превышают
20пФ.