Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС) )
Техническое задание №6.
Схема логики ИЛИ-НЕ на биполярных транзисторах.
Технология планарно-эпитаксиальная, изоляция элементов
слоем
n-полупроводника.
|
|
Элемент
|
Характеристика
|
|
1
|
R1 – R4
|
4,7 кОм ±20%
|
|
2
|
R5
|
3,3 кОм ±20%
|
|
3
|
C1 – C4
|
20 пФ ±20% Uраб = 4 В, диэлектрик – SiO2
|
|
4
|
Типовый транзистор
монолитных ИС, однобазовый полосковый.
|