Экспериментальное подтверждение двойственности свойств магнитного поля
Экспериментальное подтверждение двойственности свойств
магнитного поля.
Кузнецов
Ю.Н.
1.Природа двойственности. Пространственные
распределения векторных магнитных потенциалов поля элемента однонаправленного тока
зарядов
А = f (J
), (1)
и скалярных
потенциалов поля гипотетического монополя Дирака
φm = f
(m )
(2)
различаются
следующим образом. У токового поля эквипотенциальные поверхности имеют вид концентричных
цилиндрических оболочек, преобразующиеся в себя при поворотах вокруг своей оси.
У зарядового поля эквипотенциальные поверхности подобны концентричным сферическим
оболочкам, преобразующимся в себя при любом пространственном повороте
относительно своего центра. Очевидно, что потенциальное шарообразное магнитное
поле геометрически симметричнее цилиндрообразного циркуляционного. Поскольку
симметрии причины и следствия не могут быть разными, то природа двойственности
магнитного поля обусловлена двумя видами геометрической симметрии его источников.
Это согласуется с тем, что плотность тока в (1) описывается цилиндрообразным
аксиальным векторм, а магнитный заряд в (2) – шарообразным скаляром [1].
В статье будет дано теоретическое обоснование и опытное подтверждение
тому, что более симметричным по отношению к однонаправленному локальному току
зарядов (J) может быть не только гипотетический
монополь Дирака (m), но и локальная идеализация сферического
центрально-симметричного распределения токовых элементов, которому
соответствует такая же симметрия поля магнитных потенциалов
|A| = f (|J|). (3)
Скалярный характер шарообразного
источника и его поля магнитных потенциалов обусловлен отсутствием выделенного у
них пространственного направления.
Предложенная
локальная идеализация имеет практически реализуемый протяжённый аналог в виде
расширения (сжатия) электрически заряженной упругой сферической оболочки.
2. Двойственность локальной идеализации токового
источника. Локальная совокупность произвольно
направленных элементов тока зарядов характеризуется суммарным однонаправленным
вектором.
При
центрально-симметричном распределении векторов плотности тока геометрическое
суммирование даёт в итоге нуль-вектор. Аналогичный результат получается для
коллинеарных токам векторов магнитного потенциала (Рис.1).
∑J
∑J = 0 ∑А = 0
Рис.1
Как и в
любой магнитостатической ситуации, в центрально-симметричной, радиально движущиеся
вслед за своими зарядами электрические поля обладают кинетическими энергиями
положительного знака. В отличии от токовых и полевых векторов они взаимно не
компенсируются. Следовательно, скалярная сумма кинетических энергий имеет
конечную величину, которой эквивалентно общее магнитное поле.
Выявленное
истинное противоречие между наличием конкретного количества магнитной энергии и
нуль-векторным описанием источника и его магнитного поля имеет фундаментальную
основу. Скалярное суммирование кинетических энергий подчиняется принципу
сохранения энергии. А геометрическое суммирование токовых и полевых векторов –
принципу суперпозиции.
Суть
разрешения противоречия ясна. Если есть магнитная энергия, то должно быть
конкретное описание источника магнитного поля. И самого поля с конкретным магнитным
свойством.
Поскольку математически
корректные, но физически иррациональные, нуль-векторы тока и магнитного потенциала
для этих целей не годится, то заменой им могут быть скалярные суммы модулей
векторов, содержащие количественные характеристики
∑J
≡ |J| , (4)
∑А ≡ |А|. (5)
Отсутствие у обоих скалярных
сумм выделенного пространственного направления согласуется с шарообразной
симметрией локальной магнитостатики.
Переход от
неизбежного нуль-векторного результата к логически оправданной скалярной сумме
модулей (4) является теоретическим обоснованием двойственности локальных токов
J = ρ V, (6)
| J | = ρ |V|. (7)
Разные по
своей геометрической симметрии причины --цилиндрообразный и шарообразный токи--
порождают соответствующие им следствия - цилиндрообразное и шарообразное поля
магнитных напряжённостей
J = rotH,
(8)
| J | = div|H|.
(9)
3.Двойственность магнитной силы. На рисунке.2 изображена идеализация протяжённых аксиальных центрально-симметричных
токов из [2], [4].
i1
i2
∑V
Продольная магнитная сила
Q
Рис.2
Поля
токовых зарядов воздействуют на ортогонально движущийся (сближающийся) пробный
заряд. В соответствие с идеей Э.Парселла [3] пример рассматривается в системе
покоя пробного заряда. В этом случае токовые заряды участвуют в двух движениях
– вдоль проводника и в относительном сближении с пробным зарядом, что приводит
к наклонам «сплющенных» диаграмм силовых линий. Очевидно, что продольная
направленность магнитной силы обусловлена центральной симметрией наложения
на пробный заряд релятивистски сгущённых и разряжённых электрических силовых
линий, что, в свою очередь, обусловлено центральной симметрией
движения токовых зарядов.
Картина
центрально-симметричного наложения силовых линий сохраняется при замене
аксиальных центрально-симметричных двухзарядовых токов движением зарядов одного
знака вместе с расширяющееся (сжимающейся) сферической оболочкой.
Абстрактная
локальная идеализация сферического распределения токовых элементов имеет
протяжённый аналог. Однако, образуемое таким образом реальное потенциальное магнитное
поле недоступно опытной регистрации ввиду своей малости. В подтверждающих
экспериментах использовались электротоковые источники. Как с разнесёнными, так
и с совмещёнными центрально-симметричными токами зарядов.
4.Опытное обнаружение безвихревого вида
электромагнитной индукции.
Решалась
задача регистрации нагрева алюминиевой втулка возвратно-поступательными
индукционными токами. В качестве дипольного источника потенциального магнитного
поля использовались центрально-симметричные токи в паре рядом расположенных
многовитковых (n = 300) прямоугольных рамок. На линии
симметрии, (на расстоянии L = 6 см. от одной из двух пар
разнесённых противотоков) располагалась алюминиевая втулка с полупроводниковым
стабилитроном внутри (100 кОм/градус). Момент начала изменения температуры
втулки определялся по изменению омического сопротивления (в обратном
направлении) стабилитрона, которое фиксировалось цифровым мультиметром DT880B.
Методика
эксперимента заключалась в регистрации интервалов времени (∆1, ∆2 ) между моментами поочерёдного
подключения рамок к источникам стационарного и переменного тока и началами нагрева
полупроводникового кристалла стабилитрона теплом от втулки. При стационарных
токах интервал времени (∆1) до начала нагрева зависит только от воздействия потока джоулева
тепла, выделяемого токами в рамках. Если при переменных токах временной
интервал (∆2 ) будет меньше, то это укажет на участие в нагреве индукционного
явления.
Рамки и втулка
разделялись теплоинерционной защитой, увеличивающей интервал времени до начала заметного
воздействия джоулева тепла.
Мультиметр
позволял регистрировать изменение омического сопротивления стабилитрона на 1
кОм в (рабочем интервале 300…700 кОм), что было эквивалентно нагреву кристалла стабилитрона
на 0,01ºС.
С целью
упрощения расчёта предполагалось, что нагрев кристалла стабилитрона на 0,01ºС в регистрируемых
интервалах времени (4 – 9 мин.) происходит при нагреве алюминиевой втулки на
0,015ºС.
Требуемая
для такого нагрева втулки энергия вычислялась следующим равенством
W = 4,18 m c
∆ t. (10)
Интервал
времени (∆1
) между моментами подключения рамок к источнику переменного
тока и регистрацией начала нагрева кристалла (на 0,01ºС). позволял посредством (11)
вычислить суммарную мощность совместного нагрева втулки (на 0,015ºС ) полевым
воздействием и джоулевым теплом.
N1 = Вт.
(11)
Интервале
времени (∆2) между моментами подключения рамок к источнику стационарного тока и регистрацией
начала нагрева кристалла позволял посредством (11) вычислить мощность нагрева
втулки только джоулевым теплом
N2 = Вт.
(12)
Разница
между (12) и (11) являлась мощностью только индукционного нагрева
N3 = N2 - N1 (13)
Для теоретической
оценки индуктируемого электрического поля в нагреваемом объёме втулки V
c площадью поперечного сечения F использовалась
интегральная форма записи
, (14)
полученная
посредством преобразования дифференциального уравнения безвихревого вида
электромагнитной индукции
- divEБ . (15)
В приближении однородности
потенциального магнитного поля из (14) получаем упрощённую запись
ЕБ ≈ ω | BБ | , (16)
где
≡ h
(17)
является глубиной
проникновения переменного электромагнитного поля в материал втулки (h = 1, 34 10м).
Подставляя в
формулу мощности нагрева проводника
равенства (16), (17),
имеем
N4 = σ
ωμ hF H
(19)
Параметры
и результаты двух вариантов опытов сведены в таблице 1
Таблица 1
Параметры и
результаты
опытов
|
Схемы
расположения рамок и алюминиевой втулки
|
|
|
f
[Гц]
|
50
|
50
|
i [A
]
|
0,55
|
0,30
|
L [см.]
|
6
|
6
|
H
[A/м ]
|
300
|
164
|
F
[м]
|
2,8 10
|
2,2 10
|
∆1
[мин]
|
4,3
|
4,1
|
∆2
[мин]
|
9,4
|
6,5
|
N3 [Вт]
|
6,3 10
|
|
N4 [Вт]
|
2,7 10
|
|
2N3 [Вт]
|
|
3,4 10
|
2N4 [Вт]
|
|
1,2 10
|
W [Дж]
|
3
10
|
2 ,3 10
|
|
|
|
|
Циркуляционного
магнитного поля в месте расположения втулки не было, что подтверждалось практически
с использованием измерительной катушки, в которой ЭДС не наводилась.
В
опытах имело место переменное электрическое поле избыточных зарядов, являвшегося
причиной магнитоэлектрической индукции. Поскольку поле избыточных зарядов
проникает в тонкий поверхностный слой проводника (h = 10м), то малый объём индукционного
нагрева заметным образом не влиял на результаты опытов.
5.Магнито-термический эффект. Для подтверждения существования стационарного потенциального
магнитного поля использовался магнито-термический эффект (МТЭ), аналогичный
известному охлаждению электропроводника циркуляционным магнитным полем.
Уменьшение температуры электропроводника объясняется уменьшением энтропии
системы электронов в нём в связи с некоторым упорядочением их движения
магнитным полем. В качестве источника стационарного потенциального магнитного
поля вначале использовались разнесённые центрально-симметричные постоянные токи
в паре многовитковых рамок. Затем совмещённые противонаправленные токи в коаксиальном
кабеле. Охлаждаемым телом был полупроводниковый кристалл стабилитрона (
200 кОм/град.). В обоих случаях получены положительные результаты.
Регистрируемое изменение омического сопротивления характеризовалось
постепенным его нарастанием на 2 – 4 кОм в течении некоторого интервала
времени. Первое изменение через 0,2 – 1,0 мин. Последнее – через 3 -- 4 мин.
Размещение
стабилитрона внутри толстостенной стальной втулки (D = 3,4
см., d = 1,8 см., L = 6 см) не
являлось препятствием для проявления МТЭ.
6.Заключение. Теоретический
переход от стационарной локальной центрально-симметричной магнитостатики (9) к
её переменному варианту позволил построить 4-мерную математическую модель
локальной безвихревой электродинамики, содержащей описание безвихревых видов
индукционных явлений и продольной ЭМВ.
Прямые
подтверждения существования безвихревого вида электромагнитной индукции и МТЭ являются
косвенным подтверждением существования в природе продольных ЭМВ и их светового
диапазона.
Литература
1. Желудев И.С. Физика кристаллов и
симметрия. М., «Наука», 1987г.
2. Кузнецов
Ю. Н. Научный журнал русского физического общества, 1-6, 1995 г,
3.
Парселл Э. Электричество и магнетизм. М., Высшая школа.,!980г., стр.
191,192.
Адреса сайтов
4 Кузнецов
Ю. Н. http://lovereferats.ru/physics/00012952.html,
Продольные
электромагитные
волны, как следствие симметрийно - физической двойственно
сти.