Тема: Флеш-память. Принципы работы

Как правило, наличие заряда на транзисторе понимается как логический "0", а его отсутствие - как логическая "1". Современная флэш - память обычно изготавливается по 0,13- и 0,18-микронному техпроцессу. Общий принцип работы ячейки флэш - памяти .

...после этого начался интенсивный процесс развития этого вида, а EEPROM стремительно теряет позиции на рынке.[1] Общие принципы работы флеш - памяти .
Флеш - память , используя блочную архитектуру, полностью заменила собой микросхемы, стираемые целиком.

Флэш - память хранит информацию в массиве транзисторов с плавающим затвором, называемых ячейками (англ. cell).
NAND). Принцип работы такой же, от NOR-типа отличается только размещением ячеек и их контактами.

Принцип действия. Флеш - память хранит информацию в массиве транзисторов с плавающим затвором, называемых ячейками (англ. cell).

1.1Общие принципы работы фотоаппаратов. Любой фотоаппарат, в том числе и цифровой, можно условно разделить.
точек по вертикали и горизонтали, а также соотношением сигнал/шум. Флеш - память – энергонезависимая память , сохраняющая информацию.