Дослідження роботи транзистора Делфі

  • Вид работы:
    Курсовая работа (т)
  • Предмет:
    Информационное обеспечение, программирование
  • Язык:
    Украинский
    ,
    Формат файла:
    MS Word
    15,55 Кб
  • Опубликовано:
    2016-04-01
Вы можете узнать стоимость помощи в написании студенческой работы.
Помощь в написании работы, которую точно примут!

Дослідження роботи транзистора Делфі

ВСТУП

Курсова робота - це перша самостійна наукова праця майбутнього програмного інженера. При її виконанні студент поглиблює знання з фундаментальних та професійно-орієнтованих дисциплін, засвоює методику експериментальних досліджень, оволодіває навичками співставлення результатів своїх досліджень із літературними даними, аналізу, узагальнення і літературного оформлення одержаних результатів з теми дослідження, набуває вміння вести науковий пошук, що розвиває в молодого інженера творчий підхід до роботи.

Курсова робота з об'єктно-орієнтованого програмування передбачає знання студентами обєктно-орієнтованого проектування та програмування і є завершальним етапом вивчення у рамках курсу об'єктно -орієнтованє програмування підготовки студентів.

Метою курсової роботи є закріплення, поглиблення та узагальнення знань, якими студент оволодів під час вивчення курсу, в набутті навичок використання основ алгоритмізації та програмування на алгоритмічних мовах високого рівня з використанням принципів обєктно-орієнтованого проектування та програмування, методики розробки програмних модулів та програмного забезпечення компютерних систем управління, набуття студентами теоретичних знань та практичних навичок в області використання сучасних систем візуального проектування програмних засобів компютерних систем управління та освоєння принципів та методів сучасних технологій програмування, набуття навичок професійних та практики наукових досліджень з оформленням відповідного текстового, програмного та ілюстративного матеріалу у формі наукового звіту.

Виконання курсової роботи (КР) направлено на закріплення знань, отриманих при вивченні теоретичної частини курсу, і набуття практичних навичок розробки об'єктно-орієнтованих програм. В результаті виконання курсової роботи студент повинен освоїти:

концепції об'єктно-орієнтованого програмування;

спеціалізовані засоби розробки програмного забезпечення мовою Delphi;

спеціалізовані засоби розробки програмного забезпечення мовою С ++;

знати: загальні питання побудови та використання сучасних систем обєктно-орієнтованного та візуального проектування програмних засобів компютерних систем управління; основні поняття та методи обєктно-орієнтованного проектування та програмування, основні засоби розробки програм з використанням багато ієрархічних структур обєктів та класів обєктів;

вміти: самостійно вибирати середовище проектування програмних засобів, проектувати, розробляти, налагоджувати та супроводжувати сучасне програмне забезпечення компютерних систем управління.

Під час виконання курсової роботи студент повинен продемонструвати:

-вміння збирати і аналізувати відповідні матеріали про обєкт дослідження, використовуючи сучасні джерела інформації, включаючи Інтернет -ресурси;

-спроможність проводити необхідні обґрунтування для розробки програмних засобів систем управління різного призначення тощо;

- здатність доводити розв'язання поставленої задачі до логічного кінця;

вміння аналізувати отримані результати і робити з них висновки.

1. Аналітичний розділ

На сьогоднішній день у всьому світі розробляється багато програм на вимогу різних людей та прямовані для автоматизації якихось процесів у різних галузях життя, і з кожним днем виникає потреба для створення все нових та нових програмних продуктів. В даному курсовому проекті має бути озроблена програма для розвязання роботи біполярного транзистора. Найвідомішим аналогом даного проекту є програма MathCad і Electronics Workbench, яка здійснює різноманітні математичнj-електричні обчислення із наданням користувачеві великих можливостей при розвязані рівнянь, обрахунках та побудові математичних виразів, будувані графіків та діаграм по необхідних даних, вимірах електричних параметрів

В цьому курсовому проекті повинна бути розроблена навчально-демонстраційну програму, яка повина досліджувати роботу біполярного транзистора.

Даний проект повинен мати не складний, легкий у користувані, зрозумілий для усіх інтерфейс.

Курсовий проект розроблятиметься в середовищі програмування Borland Delphi7 з використанням стандартних візуальних і не візуальних компонентів, функцій, процедур та можливостей Delphi7, що дозволяють повністю реалізувати поставлене завдання.

2. Побудова інформаційно-математичної моделі задачі

Режим транзистора в будь-якій схемі увімкнення визначається струмами та напругами на вході та виході схеми. Взаємна залежність між цими величинами описується характеристиками транзистора. Для отримання статичної характеристики одну з чотирьох величин вибирають як аргумент (незалежна змінна), іншу - як функцію (залежна змінна). З двох величин, що залишилися, одну фіксують (підтримують постійною), іншу - залишають вільною (величина змінюється в залежності від аргументу, але в характеристиці ці зміни не відображаються). Задаючи різні значення фіксованій величині, одержують сімейство статичних характеристик транзистора. На Рис. 2.1, а зображена принципова схема для зняття статичних характеристик зі спільною базою. (Полярність джерел живлення встановлюється залежно від типу транзистора p-n-p чи n-p-n.)

а)б)

Рис. 2.1. Схеми для зняття характеристик транзистора

а - із спільною базою; б - із спільним емітером.

а)б)

Рис. 2.2. Сімейство вхідних (а) та вихідних (б) характеристик транзистора в схемі зі спільною базою

Вхідні (або емітерні) статичні характеристики транзистора з СБ - це залежність , при . Вони показані на Рис. 2.2, а.

Вхідна статична характеристика при (нульова) подібна до звичайної характеристики напівпровідникового діода, увімкненого у прямому напрямку.

При подачі негативної колекторної напруги (наприклад, ) вхідна характеристика зміщується вліво (Рис. 2.2, а).

Те, що колекторна напруга впливає на положення вхідної статичної характеристики свідчить про наявність у транзисторі внутрішнього зворотного зв'язку. Цей зворотний зв'язок виникає, в основному, через опір області бази для базового струму (Рис. 2.3, а). Цей опір (від десятків до сотень Ом) утвориться в слаболегованій області бази, яка для струму бази є пластинкою з відносно великою довжиною та малим перерізом (Рис. 6.3).

а) б)

Рис. 2.3. Структура (а) та еквівалентна схема (б) транзистора, які ілюструють дію опору у транзисторі.

У схемі СБ опір є загальним для вхідного та вихідного кіл. На Рис. 2.3, б він винесений за межі ідеального транзистора, у якого власний опір бази для струму бази приймається рівним нулеві.

Нехай у схемі (Рис. 2.3, б) , тоді напруга на емітері ідеального транзистора, яка визначає струм емітерного переходу, буде рівною

.

При подачі (або збільшенні за модулем) колекторної напруги з'являється (або дещо збільшується) . Крім того, зменшується , оскільки, при збільшенні колекторної напруги відбувається розширення колекторного переходу та, відповідно, реальна ширина бази зменшується (Рис. 2.3, а). Тому напруга , яка прикладена до емітера ідеального транзистора, при збільшенні та зростає, що і пояснює збільшення струму емітера та зміщення уліво вхідної статичної характеристики транзистора у схемі СБ. При вхідна статична характеристика зміститься вліво ще більше (приблизно на подвоєну відстань) тощо. до .

Вихідні (або колекторні) статичні характеристики транзистора з СБ становлять залежність , при .

Вони показані на Рис. 2.2, б. Незважаючи на те, що колекторний струм - зворотний струм і напруга на колекторі (для транзистора p-n-p) негативна, характеристики прийнято зображувати в позитивних осях координат.

Нульова вихідна характеристика () є звичайною характеристикою діода, увімкненого в зворотному напрямку. Інші характеристики знімаються при , тощо.

Як відомо, з появою струму емітера струм колектора збільшується на величину . Струм можна розглядати як штучно створений додатковий струм неосновних носіїв колекторного переходу. Тому можна стверджувати, що будь-яка вихідна статична характеристика транзистора з СБ є звичайною вольт-амперною характеристикою напівпровідникового діода, зміщеною по осі зворотного струму на величину .

При зворотно зміщеному колекторному переході спостерігається незначне збільшення нахилу вихідних характеристик при переході від меншого значення до більшого значення. Це пояснюється непрямим впливом колекторної напруги на величину (при збільшенні зменшуються та , отже, дещо збільшується, причому це збільшення буде тим більшим, чим більший сам струм , тобто чим більший струм ).

При дуже великих струмах емітера вихідні статичні характеристики згущуються, оскільки при цих умовах відбувається відносне збільшення та , тобто статичний коефіцієнт прямої передачі за струмом зменшується. Докладніше це питання буде освітлене наприкінці параграфа.

Для зняття початкових ділянок вихідних статичних характеристик транзистора з СБ необхідно в схемі (Рис. 6.1, а) змінити полярність колекторної напруги.

а)б)

Рис. 6.4. Сімейство вхідних (а) та вихідних (б) характеристик транзистора в схемі зі спільним емітером

Статичні характеристики транзистора з СЕ знімаються за допомогою схеми, зображеної на Рис. 6.1, б.

Вхідні (або базові) статичні характеристики транзистора з СЕ становлять залежність: , при .

Вид цих характеристик показаний на Рис. 6.4, а. Вхідним струмом транзистора при даній схемі увімкнення є струм бази. Оскільки емітер у схемі заземлений (з'єднаний із точкою нульового потенціалу), то напруги та визначаються відносно емітера, тобто , .

Нульова вхідна характеристика (при та ) - це сумарна характеристика емітерного та колекторного переходів, з'єднаних паралельно та підключених до джерела живлення в прямому напрямку (Рис. 6.9, а). На рисунку видно, що у випадку, коли , а , то . Ця позитивна напруга, прикладена до колекторного переходу, створює в колекторному колі струм, який за напрямком протилежний звичайному струмові колектора. В цьому випадку струм колектора негативний, а струм бази це сума

.

Варто звернути увагу на те, що замикання та розмикання колектора згідно Рис. 6.9, б не може спричинити істотної зміни струму бази, який, в основному, визначається відносно великим опором . Тому при замиканні колектора на емітер (якщо ) відбувається тільки розподіл практично незмінного струму бази між колекторним та емітерним колами (зазвичай ).

а)б)в)

Рис. 6.5. Транзистор з СЕ при короткому замиканні колектора з емітером (а), розподіл струму бази при замиканні колектора з емітером (б); струми транзистора з СЕ при , коли (в).

Із сказаного випливає, що в транзистора з СЕ нульова вхідна характеристика () майже збігається з характеристикою, знятою при (на Рис. 2.4, а показана пунктирною лінією).

При невеликій негативній напрузі на колекторі (Рис. 2.5, в), коли (відповідно ), струм колектора змінює свій напрямок на звичайний () і струм бази стає різницевим: .

Для цього, зазвичай, буває достатньою напруга . Оскільки при даній напрузі струм бази різко зменшується (із сумарного стає різницевим), то відповідна вхідна характеристика розташовується значно нижче нульової. При подальшому збільшенні (за модулем) колекторної напруги, (наприклад, до ) вхідна характеристика незначно зміщується вправо. В довідниках переважно наводяться дві вхідні статичні характеристики: нульова та характеристика, знята при . Всі інші характеристики, зняті при , незначно відрізняються від останньої та практично зливаються з нею.

Вихідні статичні характеристики транзистора з СЕ становлять залежність , при . Вид цих характеристик показаний на Рис. 2.4 б.

Нульова вихідна характеристика проходить через початок координат та в робочій області розташовується на рівні, приблизно рівному .

Вихідні статичні характеристики при у робочій області розташовуються над нульовою на відповідному рівні та у порівнянні з вихідними статичними характеристиками транзистора з СБ мають приблизно в раз більший нахил і різкіше виражене згущення при значних струмах бази.

Вихідні статичні характеристики перетинають вісь ординат у крапках . При цьому величина виявляється тим більшою, чим більший струм , оскільки збільшення досягається за рахунок збільшення , що відповідно збільшує (за модулем) і струм колектора, який протікає в зворотному напрямку (Рис. 2.4, а). Початкова ділянка вихідних характеристик транзистора в схемі з СЕ, де , поки не має практичного значення і тому в довідниках не наводиться.

При зміні полярності напруги на базі () можна встановити струм бази . У цьому випадку , а . Подальше збільшення напруги на базі вже не може спричиняти зменшення (тобто зміну) колекторного струму, тому як у схемі транзистора з СБ, так і в схемі з СЕ є некерованим струмом колекторного кола.

На Рис. 6.10 показана приблизна залежність при .

При дуже малих прямих струмах емітера, як , так і виявляються набагато меншими одиниці. Це пояснюється тим, що в базі транзистора при малому струмі емітера внаслідок малого градієнта концентрації дірок не створюється умов для їх швидкого перенесення через базу (наприклад, при струмі крива 1, Рис. 2.2, в). Тому, в даному випадку, більшість дірок рекомбінує з електронами і малий струм емітера майже цілком замикається через базу, не досягаючи колекторного переходу. Для випадків та (криві 2 та 3 на Рис. 2.2, в) створюються оптимальні умови для переносу дірок через базу. При цих струмах , тобто , та приблизно дорівнюють одиниці. При дуже великих струмах емітера в базі накопичується дуже великий заряд, утворений дірками, який притягає (через коло бази) і утримує в базі такий ж за величиною негативний заряд, утворений електронами провідності. Тому, незважаючи на те, що швидкість дірок, які рухаються до колектора зростає, ймовірність їх рекомбінації з електронами значно збільшується. Це викликає додаткову втрату струму емітера і, відповідно, спричиняє деяке зменшення як , так і .

Зменшення цих параметрів викликається також збільшенням електронної складової струму емітера, оскільки утримувані в базі електрони збільшують у ній концентрацію основних носіїв, що, як відомо, знижує ефективність емітера .

На Рис. 2.7 показана залежність . Ця залежність подібна характеристиці , оскільки більшому струмові емітера (за інших рівних умов) відповідає більший струм бази, а більшому значенню - більше значення і навпаки.

Рис. 6.10. Залежність коефіцієнта прямої передачі за струмом транзистора з СБ () від струму емітера.


3. Алгоритм задачі

Алгор́итм- система правил виконання обчислювального процесу, що обов'язково приводить розв'язання певного класу задач після скінченного числа операцій. При написанні комп'ютерних програм алгоритм описує логічну послідовність операцій. Для візуального зображення алгоритмів часто використовують блок-схеми.

Алгоритми мають наступні характерні властивості:

1.скінченність(алгоритм є скінченним об'єктом, що є необхідною умовою його механічної реалізованості);

2.масовість(початкові дані для алгоритму можна вибирати із певної (можливо, нескінченної) множини даних; це означає, що алгоритм призначений не для однієї конкретної задачі, а для класу однотипних задач);

3.дискретність(розчленованість процесу виконання алгоритму на окремі кроки; це означає, що алгоритмічний процес здійснюється в дискретному часі);

4.елементарність(кожен крок алгоритму має бути простим, елементарним, можливість виконання якого людиною або машиною не викликає сумнівів);

5.детермінованість(однозначність процесу виконання алгоритму; це означає, що при заданих початкових даних кожне дане, отримане на певному (не початковому) кроці, однозначно визначається даними, отриманими на попередніх кроках);

6.результативність, визначеність(алгоритм має засоби, які дозволяють відбирати із даних, отриманих на певному кроці виконання, результативні дані, після чого алгоритм зупиниться).

За допомогою алгоритму кожний конкретний результат отримується за скінченну кількість кроків із скінченної множини даних.

Рисунок 3.1 - Блок-схема алгоритму розвязання.

4. Визначення структури даних

В програмуванні та комп'ютерних науках структури даних - це способи організації даних в комп'ютерах. Часто разом зі структурою даних пов'язується і специфічний перелік операцій, які можуть бути виконаними над даними, організованими в таку структуру.

Правильний підбір структур даних є надзвичайно важливим для ефективного функціонування відповідних алгоритмів їх обробки. Добре побудовані структури даних дозволяють оптимізувати використання машинного часу та пам'яті комп'ютера для виконання найбільш критичних операцій.

Відома формула "Програма = Алгоритми + Структури даних" дуже точно виражає необхідність відповідального ставлення до такого підбору. Тому іноді навіть не обраний алгоритм для обробки масиву даних визначає вибір тої чи іншої структури даних для їх збереження, а навпаки.

Для визначення структури даних, потрібно визначити усі зміні, які будуть використовуватись у програмному продукті.

Зміна - це ділянка оперативної памяті компютера, до якого можна звернутись за унікальним імям, де зберігається значення деякої величини.

Змінних описуються у розділі Var або самої програми або в окремих підпрограмах які використовують окремі зміні. Для їх правильного опису, необхідно вказати імя змінної, а потім їх тип.

Для цілочисельних чисел, використовується тип даних Byte, Integer або Longint(більший діапазон можливих значень). Для відображення змінних, які мають дробову частину, використовують такий тип як Real. А для відображення інформації у вигляді тексту, використовують такий тип даних, як String. Також є такий тип даних, як Boolen, він призначений для логічних операцій, так як він може мати тільки два рівні, тобто рівні логічної правди, та рівень логічної брехні.

Повний список усіх змінних що були використані при реалізації даного проекту, та описання їх типу і пояснення для чого вони використовуються, приведені в таблиці

Таблиця 2 - Призначення змінних

ІмяТипПризначенняkДійсний(Double)Значення кроку зміни при побудові графіку функції lДійсний(Double)Значення крайньої лівої межі відрізку на якому потрібно розвязати рівнянняrДійсний(Double)Значення крайньої правої межі відрізку на якому потрібно розвязати рівнянняminДійсний(Double)Значеня результату розвязання рівняння, при якому значення функції на проміжку набуває найменшого значенняmaxДійсний(Double)Значеня результату розвязання рівняння, при якому значення функції на проміжку набуває найбільшого значенняsРядковий (String)Для переведень значення, щоб відобращзити у текстовому полі iЦілий(Longint)Використовуються для роботи з цикламиNumРозширений(Еxtended)Для визначення типу функції введеної користувачем, та видача результатуfФайл(TextFile)Текстовий файл для зберігання результатів при необхідності користувачуcolКолір(TColor)Зміна кольору, яка випадковим чином буде формуватись при побудові графіку функції

5. Розробка інтерфейсу програми

Інтерфейс- сукупність засобів для обробки та відображення інформації, максимально пристосованих для зручності користувача; у графічних системах реалізовується багатовіконним режимом, змінами кольору, розміру, видимості вікон, їх розташуванням, сортуванням елементів вікон, гнучкими налаштовуваннями як самих вікон, так і окремих їх елементів.

В нашому проекті визначено чотири вікна. Перше вікно (див рис 5.1) являє собою вікно вибору варіанту підключення біполярного транзистора.

Рисунок 5.1 - Основна форма проекту.

На формі містяться такі обєкти наступних типів з їх призначенням: :TRadioButton- призначений для вибору підключення зі спільною базою.:TRadioButton- призначений для вибору підключення зі спільним емітером.:TRadioButton- призначений для вибору підключення зі спільним колектором.: TButton - для наданя команди щоб вибрану функцію виконати.

Наступні три вікна не відрізняються зовнішнім виглядом, тому для прикладу вибиремо одне і опишимо його. Для прикладу вибиремо вікно обрахування параметрів транзистора підключеного зі спільною базою. Це вікно зображене на рис.5.2

Рисунок 5.2 -Форма підключення зі спільною базою.

На формі містяться такі обєкти наступних типів з їх призначенням: : TEdit - призначений для вводу значення Напруги: TEdit - призначений для вводу значення Сили струму: TChart - призначений для відображення вхідної характеристики: TChart - призначений для відображення вихідної характеристики..5 : TLabel - для відображення назв операцій, та загальної інформації: TButton - для наданя команди виконати.: TButton - для наданя команди очистити поля і графіки.: TButton - для наданя команди вийти.

6. Складання коду програми

Оскільки всі необхідні компоненти вже розміщені на формі, тому можна приступади до програмування. Так як за основу роботи курсового проекту є розбір введеної користувачем рядкової інформації, тому створюю модуль для обробки функції. Для цього необхідно виконати наступні дії:

. Завантажити Borland Delphi через меню Пуск→Все программы→Borland Delphi→Delphi7 та створити новий проект через меню програми New→Application.

. Створена форма Form1 - Помістити на неї всі необхідні обєкти

. Створити новий модуль і запрограмувати його. (див Додаток)

. На форму Form1 додати текст програми згідно якого, відбуватиметься події при взаємодії користувача із додатком.

. Додати нову форму до проекту і провести дії 1-4.

. Відкомпілювати проект та зберегти його.

Лістинг програми наведений у додатку А, В, С, D.

. Тестування програми

Тестування виконують для того щоб в програмі найти недоліки при різних вхідних даних. Тестування зводиться до підбору системи ефективних тестів і порівняння їх з еталонними, тобто тими які вважатимуться правильними.

Отже тестування - це процес виконання програми з метою викриття помилок. Тестування виявляє тільки наявність, але ніяк не відсутність помилок.

Програму було протестовано при різних вхідних даних. Під час тестування було виправлено помилки та неточності, налагоджено коректне виконання поданих варіантів дій та рішень, програмні звязки. Було покращено інтерфейс програми, додано декілька перевірок на введення, та декілька повідомлень в разі помилки користувача(Рисунок 7.1). Також в програмі було знайдено низку логічних помилок, які теж доволі просто виправити.

Програма тестувалася на компютерах з різними встановленими операційними системами сімейства Windows та різною апаратною і програмною складовою. В результаті цих тестів було перевірено дієздатність програми на різних компютерах, при чому вона в усіх випадках працювала вірно.

Рисунок 7.1 - Повідомлення про не введені дані.

8. Інструкція з експлуатації програми

Програма не потребує ні інсталяції, ні реєстрації, і щоб установити програму на компютері, потрібно скопіювати папку на компютер, а щоб запустити програму потрібно запустити файл Project1.exe в цій папці.

При запуску програми зявиться вікно програми, яке зображене на рис 8.1.

Рисунок 8.1 - Вид головного вікна програми.

В цбому вікні ми вибираєм тип підключення транзистора і натискаєм кнопку виконати. Після цього перед нами зявиться вікно де ми будемо проводити обрахунки (див рис 8.2)

Рисунок 8.2 - Вид вікна для обрахунків.

В цьому вікні ми повинні ввести значення напруги та струми і натиснути кнопку Вичислити. Далі програма обрахує вхідні дані і на графіках видасть вхідну і вихідну харктеристику транзистора.(див рис 8.3)

Рисунок 8.3 - Вид головного вікна програми.

Для нормальної роботи програми необхідні наступні характеристики ПК:

тактова частота центрального процесора -600 МГц;

обєм оперативної памяті не менше 128 Мбайт;

обєм вільного місця на жорсткому диску 2 Мбайт;

необхідно передбачити наявність CD-ROMа або USB-порту;

операційна система - Windows XP

маніпулятор «миша» та клавіатура;

відео карта на 16 Mбайт;

оптимальне розширення монітора 1024х768;

. Аналіз отриманих результатів

Для даного курсового проекту було розроблено програму, яка працює із cимвольними даними і завдання якої полягає у тому щоб розробити у середовищі Delphi навчальну програму, яка здійснює обрахунок роботи біполярного транзистора в різних схемах включення

Програма має не складний інтерфейс, що дозволяє користуватися цією програмою без усіляких складностей.

Були написані блок-схеми основних алгоритмів текстового редактору, що відображають загальну логіку програми, розроблена інформаційна модель програми та проведений її аналіз. Також були встановлені мінімальні вимоги до компютера та складена інструкція по експлуатації програми.

Була реалізована програма за допомогою візуального середовища програмування Borland Delphi 7, з використанням стандартних компонентів, процедур та функцій цього середовища.

Програма була неоднократно протестована при чому були виправлені усі виявлені помилки та неточності, а також налаштований оптимальний рівень роботи користувача .

Даний проект виконує всі поставлені перед ним задачі

Висновок

Для розробки даної програми було необхідно продумати та пояснити кожний крок розробки програми. Для програмування використовувалась мова високого рівня Delphi. Розроблена програма може використовуватись будь-якою людиною для дослідження

Спочатку для створення цієї програми було продумані всі завдання, які повинні були бути реалізовані. Для того щоб майбутня програма працювала логічно і були знайдені шляхи вирішення та реалізації принципів роботи, розроблено інформаційно-математичну модель.

Були складені вимоги до компютера для коректного перебігу програми та написана інструкція по експлуатації програми.

Були складені блок-схеми основних алгоритмів програми для зясування логіки роботи та визначили структуру даних, яка була використана у програмі.

Після цього була безпосередня реалізація програми, де розробили інтерфейс, реалізовували процедури програми, тобто вже зробили саму програму. Далі проаналізували її чи вона правильно функціонує і чи усі процедури реалізовані.

У програмі були реалізовані усі задумані алгоритми та був написаний гнучкий код програми, що дозволяє пристосувати певні властивості програми під конкретний компютер чи під конкретного користувача.

Отже поставлена задача, була виконана у повному обсязі і виконує свою поставлену задачу.

Список використаної літератури

1. Глинський Я.М. «Turbo Pascal і Delphi»: навчальний посібник. - Львів, 2003.

. Михаил Фленов «Програмирование в Delphi глазами хакера» -

Санкт-Петербург, 2003.

. Виктор Пестриков «Delphi на примерах» - Санкт-Петербург, 2005.

. Культин Н. Б. «Delphi 6. Програмирование на Оbject Pascal». - Санкт- Петербург, 2002.

.Залогова Л. Информатика. Практикум по компьютерной графике. - М.: Лаборатория базовых знаний. - 2001. - 320 с.

.Немнюгин С.А. Turbo Pascal - СПб.: „Питер, 2000. - 496 с.

.Пушкар О.І. Інформатика і компютерна техніка. Компютерна технологія. Київ. Видавничий центр „Академія 2003.

Додаток А

(Обовязковий)

unit Unit2;

Windows, Messages, SysUtils, Variants, Classes, Graphics, Controls, Forms,

Dialogs, StdCtrls;

TForm2 = class(TForm)

RadioButton1: TRadioButton;

RadioButton2: TRadioButton;

RadioButton3: TRadioButton;

Button1: TButton;

procedure Button1Click(Sender: TObject);

private

{ Private declarations }

public

{ Public declarations }

end;

Form2: TForm2;

Unit1, Unit4, Unit5;

{$R *.dfm}

TForm2.Button1Click(Sender: TObject);RadioButton1.Checked=True then.Show;RadioButton2.Checked=True then.Show;RadioButton3.Checked=True then.Show;;.

Додаток B

(Обовязковий)

unit Unit1;

Windows, Messages, SysUtils, Variants, Classes, Graphics, Controls, Forms,

Dialogs, StdCtrls, TeEngine, Series, ExtCtrls, TeeProcs, Chart;

TForm1 = class(TForm)

Chart1: TChart;

Series1: TLineSeries;

Button1: TButton;

Button2: TButton;

Button3: TButton;

Edit1: TEdit;

Edit2: TEdit;

Label3: TLabel;

Label2: TLabel;

Chart3: TChart;

LineSeries2: TLineSeries;

Label1: TLabel;

Label4: TLabel;

Label5: TLabel;

Label6: TLabel;

Label7: TLabel;

procedure Button1Click(Sender: TObject);

procedure Button3Click(Sender: TObject);

procedure Button2Click(Sender: TObject);

private

{ Private declarations }

public

{ Public declarations }

end;

Form1: TForm1;

{$R *.dfm}

TForm1.Button1Click(Sender: TObject);xk,x,xo,y,a,i:real;,s2:string;:=strtofloat(Edit1.text);:=strtofloat(edit2.text);:=0.1;:=0;

y:=x*x*x;

addXY(x,y,' ',clgreen);

i:=sqrt(a);:=x+0.1;x>xo;

i:=sqrt(a);

with LineSeries2 do

addXY(a,i,' ',clred);:=a+0.1;a>xk;;

TForm1.Button3Click(Sender: TObject);;

TForm1.Button2Click(Sender: TObject);.Clear;.Clear;.text:='';.text:='';;.

Додаток C

(Обовязковий)

unit Unit4;

Windows, Messages, SysUtils, Variants, Classes, Graphics, Controls, Forms,

Dialogs, StdCtrls, TeEngine, Series, ExtCtrls, TeeProcs, Chart;

TForm3 = class(TForm)

Label3: TLabel;

Label2: TLabel;

Label1: TLabel;

Chart1: TChart;

Label4: TLabel;

Label5: TLabel;

Series1: TLineSeries;

Button1: TButton;

Button2: TButton;

Button3: TButton;

Edit1: TEdit;

Edit2: TEdit;

Chart3: TChart;

Label6: TLabel;

Label7: TLabel;

LineSeries2: TLineSeries;

procedure Button1Click(Sender: TObject);

procedure Button2Click(Sender: TObject);

procedure Button3Click(Sender: TObject);

private

{ Private declarations }

public

{ Public declarations }

end;

Form3: TForm3;

{$R *.dfm}

TForm3.Button1Click(Sender: TObject);xk,x,xo,y,a,i:real;,s2:string;:=strtofloat(Edit1.text);:=strtofloat(edit2.text);:=0;:=0;

y:=x*x*x;

with series1 do

addXY(x,y,' ',clgreen);

i:=sqrt(a);:=x+0.01;x>xo;

i:=sqrt(a);

with LineSeries2 do

addXY(a,i,' ',clred);:=a+0.1;a>xk;;

TForm3.Button2Click(Sender: TObject);.Clear;.Clear;.text:='';.text:='';;

TForm3.Button3Click(Sender: TObject);;

.

Додаток D

(Обовязковий)

unit Unit5;

Windows, Messages, SysUtils, Variants, Classes, Graphics, Controls, Forms,

Dialogs, StdCtrls, TeEngine, Series, ExtCtrls, TeeProcs, Chart;

TForm5 = class(TForm)

Label3: TLabel;

Label2: TLabel;

Label1: TLabel;

Chart1: TChart;

Label4: TLabel;

Label5: TLabel;

Series1: TLineSeries;

Button1: TButton;

Button2: TButton;

Button3: TButton;

Edit1: TEdit;

Edit2: TEdit;

Chart3: TChart;

Label6: TLabel;

LineSeries2: TLineSeries;

procedure Button1Click(Sender: TObject);

procedure Button2Click(Sender: TObject);

procedure Button3Click(Sender: TObject);

private

{ Private declarations }

public

{ Public declarations }

end;

Form5: TForm5;

{$R *.dfm}

TForm5.Button1Click(Sender: TObject);xk,x,xo,y,a,i:real;,s2:string;:=strtofloat(Edit1.text);:=strtofloat(edit2.text);:=0.1;:=0;

y:=x*x*x;

with series1 do

addXY(x,y,' ',clgreen);

i:=sqrt(a);:=x+0.1;x>xo;

i:=sqrt(a);

with LineSeries2 do

addXY(a,i,' ',clred);:=a+0.1;a>xk;;

TForm5.Button2Click(Sender: TObject);.Clear;.Clear;.text:='';.text:='';;

TForm5.Button3Click(Sender: TObject);;

.

Похожие работы на - Дослідження роботи транзистора Делфі

 

Не нашли материал для своей работы?
Поможем написать уникальную работу
Без плагиата!