Расчет тока насыщения
Министерство
образования РФ
Томский
университет систем управления радиоэлектроники (ТУСУР)
Кафедра
Физической Электроники
Индивидуальное
задание № 1
Принял: Троян П.Е.
Выполнил: студент гр.361-4 Юрикова
Д.С.
Томск
Задание:
Диод Шотки на основе структуры
алюминий-кремний при обратном смещении 8В имеет плотность обратного тока 
А/см
Концентрация электронов в кремнии
при температуре 
K
Постоянная
) Определить изменение потенциального
барьера за счет эффекта Шотки при U=8В.
2) Определить высоту барьера
Шотки.
) Определить ток насыщения,
если площадь контакта S=
.1) Определим предельное обратное
напряжение
2.2) Определим предельное прямое
напряжение
Определим сопротивление базы.
Рассчитаем ток насыщения
,
тогда предельное прямое
напряжение будет равно
.1) Построим обратную
ветвь вольт - амперной характеристики.
.2) Построим прямую
ветвь вольт - амперной характеристики.
ток насыщение барьер диод
