Волоконно-оптические сети
Введение
Передающие оптоэлектронные модули (ПОМ),
применяемые в волоконно-оптических системах, предназначены для преобразования
электрических сигналов в оптические. Последние должны быть введены в волокно с
минимальными потерями.
Главным элементом ПОМ является источник
излучения. Основные требования, которым должен удовлетворять источник
излучения, применяемый в ВОЛС:
) излучение должно вестись на длине волны одного
из окон прозрачности волокна (меньшие потери света при распространении: 850,
1300, 1550нм);
) источник излучения должен выдерживать
необходимую модуляцию для обеспечения передачи информации на требуемой
скорости;
) источник излучения должен быть эффективным
(чтоб большая часть излучения попадало в волокно с минимальными потерями);
) стоимость производства источника излучения
должна быть относительно невысокой;
) источник излучения должен иметь большую
мощность, чтоб передавать сигнал на большие расстояния (но чтоб излучение не
приводило к нелинейным искажениям и не повредило волокно или оптический
приемник)
Два основных типа источника, удовлетворяющие
требованиям, используются в настоящее время - светодиоды (LED)
и
полупроводниковые лазерные диоды (LD).
Основным элементом ПРОМ является фотоприемник,
изготавливаемый из полупроводникового материала. В основе работы фотоприемника
лежит явление внутреннего фотоэффекта, при котором в результате поглощения
фотонов с энергией, превышающей энергию запрещенной зоны, происходит переход
электронов из валентной зоны в зону проводимости (генерация электронно-дырочных
пар). При наличии электрического потенциала с появлением электронно-дырочных
пар от воздействия оптического сигнала появляется электрический ток,
обусловленный движением электронов в зоне проводимости и дырок в валентной
зоне. Эффективная регистрация генерируемых в полупроводнике электронно-дырочных
пар обеспечивается путем разделения заряда носителей. Для этого используется
конструкция с p-n
переходом - фотодиод. Из фотоприемников, применяемых в ВОЛС получили
распространение : лавинные фотодиоды, фототранзисторы, p-i-n
фотодиоды.
оптический
излучение ток
Исходные данные:
Т а б л и ц а 1 - Исходные данные
Т а б л и ц а 2 - Исходные данные
Параметр
|
Предпоследняя
цифра номера зачетной книжки
|
|
4
|
Ток
смещения I, мА
|
14
|
Амплитуда
тока модуляции Im, мА
|
6
|
Т а б л и ц а 3 - Исходные данные
Чувствительность,
А/Вт
|
0,3
|
0,45
|
0,55
|
0,60
|
0,65
|
0,67
|
0,7
|
0,73
|
0,65
|
0,1
|
Длина
волны l,мкм
|
0,85
|
1,0
|
1,1
|
1,2
|
1,31
|
1,42
|
1,55
|
1,62
|
1,7
|
1,75
|
Т а б л и ц а 4 - Исходные данные
Мощность
излучения
|
Предпоследняя
цифра номера зачетной книжки
|
|
4
|
Рu,
мкВт
|
2,5
|
Т а б л и ц а 5 - Исходные данные
Длина
волны
|
Последняя
цифра номера зачетной книжки
|
|
8
|
l
, нм
|
910
|
Задание 1
По данным таблицы 1 построить зависимость
выходной мощности источника оптического излучения от величины электрического
тока, протекающего через него. Для заданных (по варианту) тока смещения и
амплитуды модулирующих однополярных импульсов (см.таблицу 2) определить
графически изменение выходной модуляционной мощности Рмакс и Рмин и определить
глубину модуляции h . По построенной характеристике указать вид источника.
Ток смещения I, мА=14
Амплитуда тока модуляции Im,
мА=6
Рисунок 1 - Зависимость выходной мощности
источника оптического излучения от величины электрического тока
Увеличим требуемый промежуток для более
наглядного отображения:
Согласно графику (рисунок 2):= 55
мкВт= 2,5 мкВт.
Для определения глубины модуляции
используем соотношение:
(1.1)
Задание 2
Построить график зависимости чувствительности
фотодетектора от длины волны оптического излучения по данным таблицы 3.
Используя график и данные таблиц 4-5, определить величину фототока на выходе
p-i-n фотодиода. По графику определить длинноволновую границу чувствительности
фотодетектора. Определить материал для изготовления прибора.
Рисунок 3 - Зависимость
чувствительности фотодетектора от длины волны оптического излучения
По построенному графику зависимости
чувствительности фотодетектора от длины волны оптического излучения учесть
соотношения:
, (2.1)
, (2.2)
, (2.3)
где:
ЕФ - энергия фотона,
е - заряд электрона = 1,6.10-9 Кл,
ηВН
- внутренняя квантовая эффективность фотодиода = 0,5,- постоянная Планка=
6,26.10-34 Дж.с,
С - скорость света = 3.108 м/с.
По графику определяем, что материал
для изготовления прибора - германий.
Возьмем h ВН равной 0,5
Энергия фотона:
Ток фотодиода:
Чувствительность фотодиода:
.
Величина фототока при заданных λ
и
ηен
определяется только мощностью излучения. При отсутствии излучения через
запертый диод течёт обратный ток, называемый темновым. Этот ток вызывается
электронами, перешедшими под влиянием температурных изменений из валентной зоны
в зону проводимости.
Фототок может существовать лишь при выполнении
условия:
. (2.4)
Это означает, что фотодиод,
выполненный из данного вещества, может регистрировать излучение лишь до
некоторой граничной длины волны называемой длинноволновой границей
чувствительности.
Длинноволновая граница
чувствительности фотодетектора определяется соотношением:
, (2.5)
где Еg - ширина запрещенной зоны
полупроводникового материала, из которого сделан фотодиод.
Пусть фотодиод сделан из германия.
Тогда Еg=0,661 эВ. Следовательно:
Заключение
Зависимость мощности излучения от тока накачки
описывается ватт-амперной характеристикой диода (рисунок). Где 1 - лазерный
диод, 2 - светодиод.
Исходя из зависимости выходной мощности
источника оптического излучения от величины электрического тока (рисунок 1)
можно сделать вывод, что источником оптического излучения был светодиод.
Благодаря своей простоте и низкой стоимости, светодиоды распространены шире,
чем лазерные диоды.
Принцип работы светодиода основан на
излучательной рекомбинации носителей заряда в активной области гетерогенной
структуры при пропускании через нее тока. Носители заряда - электроны и дырки -
проникают в активный слой (гетеропереход) из прилегающих пассивных слоев и
затем испытывают спонтанную рекомбинацию, сопровождающуюся излучением света.
Длина волны излучения связана с
шириной запрещенной зоны активного слоя и законом сохранения энергии .
Факторы, влияющие на технические
характеристики фотоприемников : токовая чувствительность; квантовая
эффективность; темновой ток; время нарастания и спада; эквивалентная мощность
шума; насыщение ПРОМ; максимально допустимое обратное напряжние; рабочий
диапазон температур; наработка и отказ.
Список литературы
1 Убайдуллаев
Р.Р. Волоконно-оптические сети. - М.: ЭКО-ТРЕНДЗ, 1998. - 267 с.
2 Иванов
А.Б. Волоконная оптика. Компоненты, системы передачи, измерения. - М.: SYRUS
SYSTEMS, 1999. - 671 с.
Гауэр
Дж. Оптические системы передачи. Пер с англ. - М.: Радио и связь, 1989. - 501
с.
Слепов
Н.Н. Современные технологии цифровых оптоволоконных сетей связи (АТМ, PDH, SDH,
SONET и WDM). - М.: Радио и связь, 2000. - 468 с.
Волоконно-
оптические системы передачи и кабели. Справочник под ред. Гроднева И.И.,
Мурадяна Р.М. и др. - М.: Радио и связь, 1993. - 264 с.
Фокин
В.Г. Волоконно-оптические системы передачи с подвесными кабелями на воздушных
линиях электропередачи и контактной сети железных дорог. - Новосибирск,
СибГУТИ, 2000. - 94 с.
Фокин
В.Г. Аппаратура и сети доступа. - Новосибирск, СибГУТИ, 2000. - 114 с.
Фокин
В.Г. Аппаратура систем синхронной цифровой иерархии. Издание 2-е, исправленное
и дополненное. - Новосибирск, СибГУТИ, 2001. - 60 с.