Четырехканальный реограф на транзисторах
Введение
Реографией называется метод изучения
состояния какой-либо системы и происходящих в ней процессов по изменению
электрического сопротивления этой системы для постоянного или переменного тока.
Реография - весьма точный метод, так как даже очень малые изменения
сопротивления могут быть зарегистрированы современными приборами - реографами.
Реограммой называется кривая,
соответствующая зависимости сопротивления исследуемой системы R (или его
изменения D R) от времени: R = R(t) или D R= D R(t).
В медицинской диагностике
разработаны методики регистрации реограмм любого органа человеческого тела:
сердца (реокардиограмма), мозга (реоэнцефалограмма), магистральных сосудов,
печени, легких, конечностей и др. При этом вид реограммы дает нужную информацию
об изменениях кровенаполнения органа при пульсациях сердца, о скорости
кровотока, состоянии сосудистой системы и др. Такая информация существенно
дополняет, в частности, результаты электрографического обследования при
диагностике сердечно - сосудистых и других патологий, поэтому реография часто
применяется в комплексе с ЭКГ, ЭЭГ и т.д.
Реографическое обследование
практически совершенно безвредно для пациента, так как проходящие через него
при этом токи имеют очень малую величину. Поэтому реографическое обследование
может продолжаться в течение длительного времени (например, при функциональной
диагностике), либо неоднократно повторяться.
В настоящее время метод реографии
считается весьма перспективным и широко используется в различных областях
клинической диагностики и в физиологических исследованиях.
1. Медико-технические
требования
Биологические ткани, в том числе
ткани тела человека, способны проводить электрический ток. Основными носителями
заряда в них являются ионы. Наибольшей удельной электропроводимостью (g), то
есть наименьшим удельным сопротивлением (r), обладают ярко выраженные
электролиты - спинномозговая жидкость и кровь. Жировая, костная ткани, а также
сухая кожа, имеют очень малую. Рассмотрим схему измерения сопротивления органа
или участка тела O (рис. 1).
Рисунок 1 - Схема измерения
сопротивления
- сила тока протекающая через
участок О, измеряемая миллиамперметром тА; U - напряжение между электродами
Э-Э, измеряемое вольтметром V, то R=U/I. Сопротивление R должно изменяться в
такт с сердечными сокращениями, поскольку во время них происходят изменения
кровенаполнения органа. Однако практически эти изменения так малы (десятые доли
Ом и меньше), что не могут быть надежно зарегистрированы на фоне большого
общего сопротивления участка О (обусловленного большим сопротивлением кожи,
межтканевых границ раздела, переходным сопротивлением кожа- электрод и др.).
Кроме того, истинное сопротивление участка тела на постоянном токе вообще
трудно зарегистрировать из-за возникающей поляризации тканей и появления
дополнительных зарядов на электродах. По этим причинам в медицинской реографии
не используется постоянный ток, а вместо него применяется переменный ток
большой частоты (порядка 100 кГц).
При подаче на электроды Э-Э (рис. 2)
переменного напряжения
=U0sinωt (1)
в цепи исследуемого объекта О
протекает переменный ток, изменяющийся по закону
=I0sin(ωt-φ0), (2)
ω=2πυ - циклическая частота; υ - частота переменного тока; φ0 - сдвиг по фазе между
током и напряжением.
Рисунок 2 - Подача на электроды
переменного напряжения
Величина
= U0/I0 (3)
называется, полным сопротивлением
или импедансом объекта и зависит как от свойств самого объекта (электрического
сопротивления R, емкости С и индуктивности L объекта), так и от частоты
переменного тока.
В тканях тела человека структур,
обладающих индуктивными свойствами, не обнаружено. Однако клеточные мембраны, а
также границы раздела между различными тканями в определенном смысле подобны
конденсаторам (при прохождении тока в них возникает двойной электрический слой
зарядов), поэтому любой участок тела обладает более или менее значительной
емкостью С.
Так как емкостное сопротивление Rc
уменьшается при увеличении частоты переменного тока υ по закону
c = 1/2πυС = 1/ωС, (4)
то можно ожидать, что и полное
сопротивление (импеданс) участка тела также будет убывать с частотой.
Действительно, характерная
зависимость импеданса живой ткани Z от частоты переменного тока n имеет вид,
представленный на рис. 3.
Рисунок 3 - Зависимость импеданса
живой ткани
При малых частотах n (до 104
Гц) импеданс велик и примерно равен активному сопротивлению R ткани для
постоянного тока. При больших частотах Z уменьшается, достигая n ~ 108
Гц некоторого минимального значения R'.
Такая зависимость импеданса от
частоты может быть приближенно моделирована электрической схемой,
представленной на рис. 4.
Рисунок 4 - Модель электрической
схемы отражающей зависимость импеданса от частоты
В медицинской реографии используются
частоты переменного тока порядка 100 кГц. При столь больших частотах общий
импеданс исследуемого органа или участка тела уменьшается и значительно большей
степени зависит от кровенаполнения органа. Поэтому относительные изменения
импеданса во время сердечных сокращений становятся большими, и их регистрация
значительно облегчается. Причем эти изменения практически определяются лишь
изменением активной составляющей R полного импеданса исследуемого органа, так
как емкостная составляющая на используемых частотах при изменении
кровенаполнения изменяется совершенно незначительно.
2. Описание физического метода
измерения
.1 Структурная схема реографа
Реограф имеет общий генератор и 4
идентичных канала (с автономным витанием). Напряжение высокой частоты поступает
с генератора через обмотки связи на преобразователи каналов, где изменения
сопротивления пациента (для токов в.ч) преобразуется в пропорциональные
изменения напряжения низкой частоты. Блок схема реографа изображена на рисунке
5.
Рисунок 5 - Блок схема реографа
) Генератором
высокочастотного напряжения в реографе является двухтактный автогенератор с
индуктивными связями на транзисторах Т1 Т2 и
трансформаторе Тр-1. Высокочастотное напряжение - 2,5 в (эф) подается с четырех
выходных обмоток на преобразователи каналов.
) Преобразователь по схеме
балансного демодулятора состоит из сопротивлений: эквивалента (R7)
или R пациента, R баланса (R8), R14, R15,
диодов Д1 + Д4 и конденсатора C2. Напряжение в.ч. подается на
средние точки измерительной (R7, R 8) и усилительной (R14,
R15) диагоналей демодулятора. При равенстве плеч измерительной
диагонали (R7= R8 или Rпац = R8) на
выходе демодулятора сигнал отсутствует. При изменении сопротивления
пациента на выходе демодулятора появляется постоянное напряжение,
пропорциональное изменению сопротивления. Преобразователь имеет образную
характеристику, линейную в весьма широком диапазоне разбалансировок и
неизменную фазовую характеристику, при переходе черев нуль (положение баланса).
Низкочастотный сигнал (пропорциональный изменению входного импеданса) с
емкостной нагрузки демодулятора С2 поступает на усилитель
постоянного тока.
3) Калибровка производится с
изменением сопротивления, включенного последовательно с сопротивлением
пациента. Кнопкой калибровки сопротивление, стоящее в цепи пациента - R1
замыкается набором сопротивлений R2 + R6 различной
величине в зависимости от амплитуды калибровки. Калибратор собран, из
сопротивлений УЛИ-1% что обеспечивает точность калибровочных импульсов. Для
калибровки в отсутствии реограммы (с целью избавления от ошибок) возникающих за
счет инерционности перьев) предусматривается возможность переключения на
эквивалентное сопротивление Rэкв, подключаемое взамен пациента.
) Индикатором настройки и
контроля питания служит микроамперметр М-592, подключаемый либо к выходу
демодулятора настраиваемого канала, либо к источнику питания генератора. При
работе индикатор отключается от настраиваемого канала для устранения 50 Гц.
наводки и шунтирования сигнала.
) Парафазный усилитель
постоянного тока собран по схеме с общим эмиттером на малошумящих транзисторах
Т2, Т3 типа П-28. Усилитель балансируется потенциометром,
уставленным в цепи нагрузки Р17. Потенциометром Р13 в
цепи базового смещения регулируется усиление. При правильном выборе режима
транзисторов шумы прибора, приведенные ко входу, не превышают 0,0025 Ом. Малый
температурный и временной дрейф - обеспечивается согласованием с демодулятором
и тщательным подбором транзисторов.
) Сигнал с нагрузки усилителя
поступает на симметричный плавный аттенюатор для возможности установки
амплитуды сигнала необходимой величины. Далее сигнал поступает на переключатель
полосы пропускания канала, обеспечивая в положении 0-500 гц запись, на
регистратор, имеющий УПТ, реоплетизмограммы.
) Для дифференцирования
реограммы сигнал с выхода усилителя подается на дифцепочку PC, имеющую постоянную
времени дифференцирования 10 мсек.
) Реограф имеет 5 автономных
источников питания для получения минимальных связей по каналам. Источники
питания (батареи КБСЛ-0,5; "Сатурн") не имеют общих точек между собой
и корпусом прибора.
Принципиальная электрическая схема
прибора изображена на рисунке 6.
Рисунок 6 - Принципиальная
электрическая схема реографа 4-РГ-1
.2 Специфические требования к
реографу
Четырехканальный реограф на
транзисторах с питанием от батарей предназначен для ведения научно-
исследовательских работ по изучению кровенаполнения различных органов а тканей
человека и животных (реофаэография, реоэнцефалография и.т.д.).
С помощью реографа можно исследовать
относительный обмен кровенаполнения, скорость и интенсивность пульсовой волны,
сосудистый тонус и т.д.
Реограф может быть применен для
диагностики различных поражений. сердца, сосудистых поражений головного мозга,
в хирургической практике и,т.д.
Намерение вышеуказанных параметров
производится ''методом импедансной плетизмографии. Интересующей участок зондируется
высокочастотным напряженней,, для которого он представляет определенное
сопротивление, Изменение этого сопротивления при изменении кровотока
преобразуется в электрический сигнал и регистрируется кардиографом ЭЛКАР-4 или
энцефалографом 4ЭЭГ-1 (или другим регистратором подобного типа при
соответствующем исключении к его входному разъему).
При используемых в реографе частотах
переменного тока емкостное сопротивление биообъекта мало, и полный импеданс
приближенно равен активной составляющей сопротивления R. В случае, если с
помощью потенциометра установить RΩ=R, напряжение на выходе измерителя и демодулятора (отсутствует,
что и регистрируется индикатором. Такого баланса обычно добиваются в начале
работы с реографом. По шкале потенциометра при этом определяют сопротивление
биообъекта R=RΩ. Отметим, что вместо биообъекта в измерительную цепь моста может
быть включено эквивалентное переменное сопротивление, которое можно подобрать
равным RΩ, так что RΩ=R=Rэкв.
В случае, когда сопротивление
биообъекта R слабо и медленно (например, с частотой сердечных сокращений)
изменяется во времени (рис. 7а), высокочастотное напряжение генератора (рис.
7б) на выходе измерителя U1 (рис. 7в) оказывается уже не равным
нулю, а модулированным значением ∆R(t). Демодулятор, представляющий собой
выпрямитель на диодах, выделяет медленно изменяющуюся часть
("огибающую") этого сигнала U2 (рис. 7г), прямо
пропорциональную изменениям ∆R сопротивления биообъекта:
2 = k1∆R, k1 = const (5)
Это напряжение обычно бывает,
однако, очень мало и не может быть непосредственно зарегистрировано индикатором
или регистратором. Поэтому напряжение U2 подается, вначале на
усилитель. Усиленное напряжение U3 (рис. 7д)
3 = k2U2 = k1k2∆R,
k2 = const (6)
то есть
3 = k∆R, k = k1k2 (7)
поступает с выхода реографа на
регистратор где наблюдается реограмма (рис. 7е)
∆x = qU3 = kq∆R
(q = const), (8)
∆x = p∆R, p = kq = const
(9)
где ∆x - величина смещения
шкалы регистратора (например, пера электрокардиографа, луча осциллоскопа и
т.д.). График зависимости ∆x(t), прямо пропорциональный изменениям
сопротивления биообъекта ∆R(t), и представляет собой реограмму.
Рисунок 7 - построение реограммы
биообъекта
.3 Технические характеристики
реографа
Количество каналов:
Реограммы…………………………………………………………4
Частота
генератора……………………………………………...120 кГц
Чувствительность каналов (при R6
= 100 ом)...не ниже 3 мВ на 0,1 Ом
Диапазон
настройки…………………………………………..25 + 500 Ом
Амплитуда калибровок (в Ом)…
……………...0,2; 0,1;0,05; 0,02
Допустимый уход баланса:
(при уменьшении реограммы на
10%)………±5 Ом (R6 = 100 Ом)
Собственные шумы, приведенные к
входу не более………..0,0025 Ом
Взаимовлияния каналов (на
эквиваленте)…… ……. не более 2%
Выходное сопротивление при записи
реограммы……………...5 кОм
Выходное сопротивление при записи
дифф. реограммы………200 кОм
Полоса пропускания…………………….0-500 Гц;
0,2-500 Гц
Ток высокой частоты через объект не
более………………...2,5 мА
Постоянная
дифференцирования…………………10 мс
Время непрерывной работы без смены
питания:
- генератора не менее…………………………………...100 час.
- усилителей не менее…………………………………..500 час.
Габаритные размеры………………………….324 х
234 х 120 ммс прибора (без соединительных шлангов)…………… ………....4,8 кг
2.4 Конструкция прибора
Прибор выполнен в виде
малогабаритного блока с наклонной лицевой панелью, на которую выведены вое
ручки управления. В центре панели расположены общие органы управления, слева и
справа - попарно - симметрично органы управления каждым каналом (рис. 3).
Общие органы управления:
Тумблер включения
генератора………………………………..5
Тумблер включения
каналов……………………………………2
Микроамперметр
(индикатор)……………………………….....4
Переключатель амплитуда
калибровки……………………....11
Кнопки
калибровки…………………………………………….13
Переключатель настройки и
контроля…………………….....12
Органы управления каналами:
Входные гнезда для подключения
пациента…………………..16
Эквивалентное
сопротивление…………………………………15
Тумблер подключений эквивалента либо
пациента…………..14
Сопротивление
баланса………………………………………....17
Ручка усиления…………………………………………………....6
Переключатель полосы
пропускания…………………………....1
Батареи питания генератора (9) и
каналов (10) расположены на нижнем основании прибора. На задней стенке
расположен выходной разъем (З, 8) а клеммы заземления прибора (7).
Рисунок 3 - Внешний вид реографа
4-РГ-1
3. Расчет ВЧ генератора
На рисунке 4 избражена
принципиальная электрическая схема транзисторного ВЧ генератора.
Рисунок 4 - Транзисторный ВЧ
генератор
Основными техническими данными для
расчета транзисторного LC-генератора являются: выходная мощность, отдаваемая
автогенератором в нагрузку, Рвых и частота генерируемых колебаний fр.
.Выбираем тип транзистора. При
заданном значении Рвых мощность Рк, которую должен отдать
транзистор в контур, составляет
РК =Рвых/ηк,
Вт
Где ηк,
- КПД контура.
При повышенных
требованиях к стабильности частоты автогенератора КПД контура ηк
выбирают в пределах 0,1…1,2. В остальных случаях его можно
увеличить до 0,5…0,8.
Выбирая транзистор,
необходимо исходить из условий
РК max >PK,max ≥fp,
где РК max -максимально
допустимая рассеиваемая мощность коллектора выбранного транзистора; fmax
-максимальная частота генерации биполярного транзистора; выбранного типа.
Параметры РК max = 0,4Вт. и fmax =
200 МГц. высокочастотных транзисторов приведены в справочнике по
полупроводниковым приборам (взяли транзистор КТ 668В, или его аналог BС393)
. Рассчитываем энергетический режим
работы генератора. Выбираем импульс коллекторного тока косинусоидальной формы.
Считая, что в критическом режиме угол отсечки тока коллектора θ=90°,по графикам (рис. 5) находим коэффициенты разложения импульса
коллекторного тока α1=0,5; α0=0,318.
Находим усредненное время движения τп носителей тока между p-n переходами транзистора по формуле
τп≈1/2πfmax
c
Вычисляем угол пробега
носителей тока
φпр=2πfрτп
Вычисленное по формуле
значение φпр выражаем в градусах. При этом учитываем, что при φпр=2π
угол φпр=360°. Находим угол отсечки тока эмиттера
θэ=θ-φ°пр
;
По графикам (рис. 5)
определяем коэффициенты разложения импульса эмитерного тока α1(Э)
и α0(Э)
Рисунок 5 - График для
определения значений
Напряжение питания можно
определить по формуле при этом Uk берем в пределах 0,8…1,2 В:
;
Коэффициент
использования коллекторного напряжения выбираем из соотношения:
ξ=1-2Рк/Ек2Sкрα1
;
Определяем основные
электрические параметры режима:
амплитуду переменного
напряжения на контуре
мк=ξ|Ek|;
амплитуду первой
гармоники коллекторного тока
K1m=2PK/Umk;
Постоянную составляющую
коллекторного тока
Kпост=α0IK1m/α1
;
максимальное значение
импульса тока коллектора
Kи max=
IK1m/α1
;
мощность, расходуемую
источником тока в цепи коллектора
Р0=IKпост|Ek|;
;
мощность, рассеваемую на коллекторе
РК рас=Р0-РК
;
причем необходимо, чтобы
РК рас<РK
max
КПД по цепи коллектора
η=РК/Р0
;
Эквивалентное
резонансное сопротивление контура в цепи коллектора
рез=Umk/IK1m
;
Находим коэффициент
передачи тока транзистора в схеме с ОБ на рабочей частоте
21б(fp)=h21б/
;
Где h21б(fp)
- коэффициент передачи тока; f h21б(fp)-предельная
частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора выбранного типа.
Для определения
параметра h21б (значение которого не всегда приводится в
справочниках) может быть использована формула
21б=
h21э/(1+ h21э)
;
где h21э-коэффициент
передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ.
Определяем амплитуду
первой гармоники тока эмиттера
Э1m=IK1m/
h21б(fp)
;
Находим амплитуду
импульса тока эмиттера
Э u max=
IЭ1m/α1(Э)
;
Рассчитываем амплитудное
значение напряжения возбуждения на базе транзистора, необходимое для
обеспечения импульса тока эмиттера IЭ u max без учета влияния
частоты
БЭm=
IЭ u max/(1-cosθэ)S0
;
где S0-крутизна
характеристики тока коллектора.
Определяем напряжение
смещения на базе, обеспечивающее угол отсечки тока эмиттера,БЭсм=Ес+
UБЭmcosθэ
;
где Ес -
напряжение среза.
В случаях, когда
значение напряжения среза в справочниках не приводится, его можно найти по
идеализированным (спрямленным) характеристикам транзистора или ориентировочно
принять равным Ес=(0,1…0,2)В (полярность Ес зависит от
типа транзистора: для транзисторов p-n-p на базу подается отрицательное, а для
транзисторов n-p-n положительное напряжение смещения).
Находим коэффициент
обратной связи
Ксв= UБЭm/Umk
;
Для выполнения условия
баланса амплитуд необходимо выполнить условие
Ксв≥ Ксв
min=1/S0Rрез
;
Рассчитываем
сопротивление резисторов R1и R2. Для этого задаемся током делителя, проходящим
через эти резисторы
Д≈5IБпост
;
где IБпост -
постоянная составляющая тока базы выбранного транзистора. Величину IБпост
можно найти по формулеБпост=IKпост/h21Э
;
(h21Э -
статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора выбранного типа в
схеме с общим эмиттером).
Зная IД,
находим R2 по формуле
2=
UБЭсм/ IД
;
Поскольку ток делителя
на много превышает ток базы транзистора, последний не изменит существенно ток,
протекающий через резистор R1. поэтому
1=(Ek-UБЭсм)/IД
;
Мощность, рассеиваемая
на резисторах R1 и R2, соответственно равна PR1=I2ДR1;
PR2=I2ДR2. С учетом этих значений
выбираем стандартный тип резисторов R1 и R2 по шкале номинальных сопротивлений
резисторов.
Находим емкость
разделительного конденсатора С1 С1≈(10…20) Сэ, где
Сэ - емкость эмитерного перехода транзистора.
С1 = 15·70 Пф = 1 нФ
Элементы цепочки
термостабилизации R3C2 определяются так же, как и при
расчете избирательного усилителя на транзисторе
;
где UЭ
падение напряжения на резисторе эмиттерной стабилизации (порядка (0,7…1,5)В); IЭпост
- постоянный ток эмиттера (IЭпост≈IКпост).
Емкость конденсатора С2
равна
С2≥(15…30)103/fpR3
;
Где С2 выражается в
микрофарадах; fp - мегагерцах; R3 - в килоомах
Стандартные значения R3
и С2 выбираются по шкале нормальных значений сопротивлений резисторов и
емкостей конденсаторов
. Определяем параметры
контура.
Добротность нагруженного
контура подсчитывается по формуле
Q'=Q(1-ηк)
;
где ηк
- КПД контура.
Находим минимальную
общую емкость контура Ск min по приближенной формуле
Ск min≈(1…2)λр
;
λр
- рабочая длина волны колебаний (λр=с/fp,
где с - скорость света), м; Ск min выражается в пикофарадах).
В общую емкость контура
Ск min входят емкость конденсатора С3 (рис. 9.2 а) и выносимые
(паразитные) емкости: выходная емкость транзистора, емкость катушки контура,
емкость монтажа и др. Общая величина вносимой емкости Свн обычно
составляет десятки пикофарад. Следовательно, емкость конденсатора контура С3
мажет быть найдена по формуле
С3≈ Ск
min-Свн
;
Вполне понятно, что
формула позволяет установить лишь ориентировочное значение емкости С3; более
точное значение определяется в процессе настройки схемы.
Рассчитываем общую
индуктивность контура Lk
k=0.282λ2p/Ск
min
;
где Lk
выражается в микрогенри; λр - в метрах; Ск min - в пикофарадах.
Определим волновое
(характеристическое) сопротивление контура
ρ=103
;
(ρ выражается
в омах; Lk - в микрогенри; Ск min - в пикофарадах.
Находим сопротивление
потерь контура
п=ρ/Q'
;
Рассчитываем
сопротивление, вносимое в контур
вн=
Rпηк/(1-ηк)
;
Полное сопротивление
контура равно
K=
Rп+ Rвн
;
Определяем амплитуду
колебательного тока в нагруженном контуре
mk=
;
Находим величину
индуктивности L2 связи контура с базой транзистора (приложение)
2=KсвLk
;
Определяем величину
индуктивности связи контура с коллектором транзистора
1=Lk-L2
;
4. Расчет аттенюатора
Схема аттенюатора на основе одного
трехдецибельного моста представлена на рисунке 6. Вход и выход являются взаимно
развязанными плечами. Мощность, поступающая на вход аттенюатора, делится
поровну между плечами моста, к которым подключены p-i-n - диоды. Падающая
мощность частично поглощается диодами, частично отражается. Отраженные сигналы
складываются синфазно на выходе и противофазно на входе. Аттенюатор оказывается
согласованным с генератором при любых сопротивлениях диодов.
четырехканальный реограф
транзисторный
Рисунок 6 - Схема
аттенюатора
В схеме будем
использовать p-i-n - диод 2А503А, имеющий подходящие электрические параметры и
конструктивное исполнение. Внешний вид диода показан на рисунке 7.
Рисунок 7 - Внешний вид
диода АА721А
Необходимым требованиям
отвечает двухшлейфный направленный ответвитель, представляющий собой два
отрезка линии передачи, соединенных между собой двумя шлейфами, длина которых
равна четверти длины волны в линии (рисунок 8,9).
Рисунок 8 - Топология
двухшлейфного направленного ответвителя
Рисунок 9 - Топология
двухшлейфного направленного ответвителя
В данном ответвителе
Ом,
а Ом.
При Zв =
35,35 Ом, ширина микрополосковой линии W = 2,13 мм, длина волны в линии
мм,
мм.
При Zв = 50
Ом, ширина микрополосковой линии W = 1,01 мм, длина волны в линии
мм,
мм.
Требуется рассчитать
блокировочный дроссель L2 и блокировочную емкость С1, а также разделительные
емкости С2 и С3.
,
нГн.
Выберем L2 = 22нГн.
Емкости выбираем из
условия:
;
Ф.
Выберем Сбл =
4,7 пФ.
Разделительные емкости
найдем из условия:
Ом.
Тогда
Ф.
Выберем Ср =
47 пФ.
Заключение
В данной курсовой работе был
рассмотрен реограф 4-РГ-1. Были отображены его структурная и принципиальная
схемы, внешний вид, технические данные. Подробно описан принцип работы прибора,
а так же принцип измерения и построения реограммы.
Список литературы
1. Кулаичев А.П. Компьютерная электрофизиология в клинической и
исследовательской практике. М.: НПО,1999
. http://lainslav.narod.ru/med.files/reograf.htm
. Титце У., Шенк К. Полупроводниковая схемотехника. М.: МИР, 1982
. Маята В.С. Диагностическая и терапевтическая техника. М.:
Медицина, 1969