Четырехканальный реограф на транзисторах

Четырехканальный реограф на транзисторах

Введение

Реографией называется метод изучения состояния какой-либо системы и происходящих в ней процессов по изменению электрического сопротивления этой системы для постоянного или переменного тока. Реография - весьма точный метод, так как даже очень малые изменения сопротивления могут быть зарегистрированы современными приборами - реографами.

Реограммой называется кривая, соответствующая зависимости сопротивления исследуемой системы R (или его изменения D R) от времени: R = R(t) или D R= D R(t).

В медицинской диагностике разработаны методики регистрации реограмм любого органа человеческого тела: сердца (реокардиограмма), мозга (реоэнцефалограмма), магистральных сосудов, печени, легких, конечностей и др. При этом вид реограммы дает нужную информацию об изменениях кровенаполнения органа при пульсациях сердца, о скорости кровотока, состоянии сосудистой системы и др. Такая информация существенно дополняет, в частности, результаты электрографического обследования при диагностике сердечно - сосудистых и других патологий, поэтому реография часто применяется в комплексе с ЭКГ, ЭЭГ и т.д.

Реографическое обследование практически совершенно безвредно для пациента, так как проходящие через него при этом токи имеют очень малую величину. Поэтому реографическое обследование может продолжаться в течение длительного времени (например, при функциональной диагностике), либо неоднократно повторяться.

В настоящее время метод реографии считается весьма перспективным и широко используется в различных областях клинической диагностики и в физиологических исследованиях.

1.      Медико-технические требования

Биологические ткани, в том числе ткани тела человека, способны проводить электрический ток. Основными носителями заряда в них являются ионы. Наибольшей удельной электропроводимостью (g), то есть наименьшим удельным сопротивлением (r), обладают ярко выраженные электролиты - спинномозговая жидкость и кровь. Жировая, костная ткани, а также сухая кожа, имеют очень малую. Рассмотрим схему измерения сопротивления органа или участка тела O (рис. 1).

Рисунок 1 - Схема измерения сопротивления

- сила тока протекающая через участок О, измеряемая миллиамперметром тА; U - напряжение между электродами Э-Э, измеряемое вольтметром V, то R=U/I. Сопротивление R должно изменяться в такт с сердечными сокращениями, поскольку во время них происходят изменения кровенаполнения органа. Однако практически эти изменения так малы (десятые доли Ом и меньше), что не могут быть надежно зарегистрированы на фоне большого общего сопротивления участка О (обусловленного большим сопротивлением кожи, межтканевых границ раздела, переходным сопротивлением кожа- электрод и др.). Кроме того, истинное сопротивление участка тела на постоянном токе вообще трудно зарегистрировать из-за возникающей поляризации тканей и появления дополнительных зарядов на электродах. По этим причинам в медицинской реографии не используется постоянный ток, а вместо него применяется переменный ток большой частоты (порядка 100 кГц).

При подаче на электроды Э-Э (рис. 2) переменного напряжения

=U₀sinωt (1)

в цепи исследуемого объекта О протекает переменный ток, изменяющийся по закону

=I₀sin(ωt-φ₀), (2)

ω=2πυ - циклическая частота; υ - частота переменного тока; φ₀ - сдвиг по фазе между током и напряжением.

Рисунок 2 - Подача на электроды переменного напряжения

Величина

= U₀/I₀ (3)

называется, полным сопротивлением или импедансом объекта и зависит как от свойств самого объекта (электрического сопротивления R, емкости С и индуктивности L объекта), так и от частоты переменного тока.

В тканях тела человека структур, обладающих индуктивными свойствами, не обнаружено. Однако клеточные мембраны, а также границы раздела между различными тканями в определенном смысле подобны конденсаторам (при прохождении тока в них возникает двойной электрический слой зарядов), поэтому любой участок тела обладает более или менее значительной емкостью С.

Так как емкостное сопротивление R_c уменьшается при увеличении частоты переменного тока υ по закону

_c = 1/2πυС = 1/ωС,        (4)

то можно ожидать, что и полное сопротивление (импеданс) участка тела также будет убывать с частотой.

Действительно, характерная зависимость импеданса живой ткани Z от частоты переменного тока n имеет вид, представленный на рис. 3.

Рисунок 3 - Зависимость импеданса живой ткани

При малых частотах n (до 10⁴ Гц) импеданс велик и примерно равен активному сопротивлению R ткани для постоянного тока. При больших частотах Z уменьшается, достигая n ~ 10⁸ Гц некоторого минимального значения R'.

Такая зависимость импеданса от частоты может быть приближенно моделирована электрической схемой, представленной на рис. 4.

Рисунок 4 - Модель электрической схемы отражающей зависимость импеданса от частоты

В медицинской реографии используются частоты переменного тока порядка 100 кГц. При столь больших частотах общий импеданс исследуемого органа или участка тела уменьшается и значительно большей степени зависит от кровенаполнения органа. Поэтому относительные изменения импеданса во время сердечных сокращений становятся большими, и их регистрация значительно облегчается. Причем эти изменения практически определяются лишь изменением активной составляющей R полного импеданса исследуемого органа, так как емкостная составляющая на используемых частотах при изменении кровенаполнения изменяется совершенно незначительно.

2.      Описание физического метода измерения

.1 Структурная схема реографа

Реограф имеет общий генератор и 4 идентичных канала (с автономным витанием). Напряжение высокой частоты поступает с генератора через обмотки связи на преобразователи каналов, где изменения сопротивления пациента (для токов в.ч) преобразуется в пропорциональные изменения напряжения низкой частоты. Блок схема реографа изображена на рисунке 5.

Рисунок 5 - Блок схема реографа

)        Генератором высокочастотного напряжения в реографе является двухтактный автогенератор с индуктивными связями на транзисторах Т₁ Т₂ и трансформаторе Тр-1. Высокочастотное напряжение - 2,5 в (эф) подается с четырех выходных обмоток на преобразователи каналов.

)        Преобразователь по схеме балансного демодулятора состоит из сопротивлений: эквивалента (R₇) или R пациента, R баланса (R₈)_, R₁₄, R₁₅, диодов Д1 + Д4 и конденсатора C_2. Напряжение в.ч. подается на средние точки измерительной (R₇, R ₈) и усилительной (R₁₄, R₁₅) диагоналей демодулятора. При равенстве плеч измерительной диагонали (R₇= R₈ или R_пац = R₈) на выходе демодулятора сигнал отсутствует. При изменении сопротивления пациента на выходе демодулятора появляется постоянное напряжение, пропорциональное изменению сопротивления. Преобразователь имеет образную характеристику, линейную в весьма широком диапазоне разбалансировок и неизменную фазовую характеристику, при переходе черев нуль (положение баланса). Низкочастотный сигнал (пропорциональный изменению входного импеданса) с емкостной нагрузки демодулятора С₂ поступает на усилитель постоянного тока.

3)      Калибровка производится с изменением сопротивления, включенного последовательно с сопротивлением пациента. Кнопкой калибровки сопротивление, стоящее в цепи пациента - R₁ замыкается набором сопротивлений R₂ + R₆ различной величине в зависимости от амплитуды калибровки. Калибратор собран, из сопротивлений   УЛИ-1% что обеспечивает точность калибровочных импульсов. Для калибровки в отсутствии реограммы (с целью избавления от ошибок) возникающих за счет инерционности перьев) предусматривается возможность переключения на эквивалентное сопротивление R_экв, подключаемое взамен пациента.

)        Индикатором настройки и контроля питания служит микроамперметр М-592, подключаемый либо к выходу демодулятора настраиваемого канала, либо к источнику питания генератора. При работе индикатор отключается от настраиваемого канала для устранения 50 Гц. наводки и шунтирования сигнала.

)        Парафазный усилитель постоянного тока собран по схеме с общим эмиттером на малошумящих транзисторах Т₂, Т₃ типа П-28. Усилитель балансируется потенциометром, уставленным в цепи нагрузки Р₁₇. Потенциометром Р₁₃ в цепи базового смещения регулируется усиление. При правильном выборе режима транзисторов шумы прибора, приведенные ко входу, не превышают 0,0025 Ом. Малый температурный и временной дрейф - обеспечивается согласованием с демодулятором и тщательным подбором транзисторов.

)        Сигнал с нагрузки усилителя поступает на симметричный плавный аттенюатор для возможности установки амплитуды сигнала необходимой величины. Далее сигнал поступает на переключатель полосы пропускания канала, обеспечивая в положении 0-500 гц запись, на регистратор, имеющий УПТ, реоплетизмограммы.

)        Для дифференцирования реограммы сигнал с выхода усилителя подается на дифцепочку PC, имеющую постоянную времени дифференцирования 10 мсек.

)        Реограф имеет 5 автономных источников питания для получения минимальных связей по каналам. Источники питания (батареи КБСЛ-0,5; "Сатурн") не имеют общих точек между собой и корпусом прибора.

Принципиальная электрическая схема прибора изображена на рисунке 6.

Рисунок 6 - Принципиальная электрическая схема реографа 4-РГ-1

.2 Специфические требования к реографу

Четырехканальный реограф на транзисторах с питанием от батарей предназначен для ведения научно- исследовательских работ по изучению кровенаполнения различных органов а тканей человека и животных (реофаэография, реоэнцефалография и.т.д.).

С помощью реографа можно исследовать относительный обмен кровенаполнения, скорость и интенсивность пульсовой волны, сосудистый тонус и т.д.

Реограф может быть применен для диагностики различных поражений. сердца, сосудистых поражений головного мозга, в хирургической практике и,т.д.

Намерение вышеуказанных параметров производится ''методом импедансной плетизмографии. Интересующей участок зондируется высокочастотным напряженней,, для которого он представляет определенное сопротивление, Изменение этого сопротивления при изменении кровотока преобразуется в электрический сигнал и регистрируется кардиографом ЭЛКАР-4 или энцефалографом 4ЭЭГ-1 (или другим регистратором подобного типа при соответствующем исключении к его входному разъему).

При используемых в реографе частотах переменного тока емкостное сопротивление биообъекта мало, и полный импеданс приближенно равен активной составляющей сопротивления R. В случае, если с помощью потенциометра установить R_Ω=R, напряжение на выходе измерителя и демодулятора (отсутствует, что и регистрируется индикатором. Такого баланса обычно добиваются в начале работы с реографом. По шкале потенциометра при этом определяют сопротивление биообъекта R=R_Ω. Отметим, что вместо биообъекта в измерительную цепь моста может быть включено эквивалентное переменное сопротивление, которое можно подобрать равным R_Ω, так что R_Ω=R=R_экв.

В случае, когда сопротивление биообъекта R слабо и медленно (например, с частотой сердечных сокращений) изменяется во времени (рис. 7а), высокочастотное напряжение генератора (рис. 7б) на выходе измерителя U₁ (рис. 7в) оказывается уже не равным нулю, а модулированным значением ∆R(t). Демодулятор, представляющий собой выпрямитель на диодах, выделяет медленно изменяющуюся часть ("огибающую") этого сигнала U₂ (рис. 7г), прямо пропорциональную изменениям ∆R сопротивления биообъекта:

₂ = k₁∆R, k₁ = const (5)

Это напряжение обычно бывает, однако, очень мало и не может быть непосредственно зарегистрировано индикатором или регистратором. Поэтому напряжение U₂ подается, вначале на усилитель. Усиленное напряжение U₃ (рис. 7д)

₃ = k₂U₂ = k₁k₂∆R, k₂ = const (6)

то есть

₃ = k∆R, k = k₁k₂ (7)

поступает с выхода реографа на регистратор где наблюдается реограмма (рис. 7е)

∆x = qU₃ = kq∆R (q = const), (8)

∆x = p∆R, p = kq = const (9)

где ∆x - величина смещения шкалы регистратора (например, пера электрокардиографа, луча осциллоскопа и т.д.). График зависимости ∆x(t), прямо пропорциональный изменениям сопротивления биообъекта ∆R(t), и представляет собой реограмму.

Рисунок 7 - построение реограммы биообъекта

.3 Технические характеристики реографа

Количество каналов:

Реограммы…………………………………………………………4

Частота генератора……………………………………………...120 кГц

Чувствительность каналов (при R₆ = 100 ом)...не ниже 3 мВ на 0,1 Ом

Диапазон настройки…………………………………………..25 + 500 Ом

Амплитуда калибровок (в Ом)… ……………...0,2; 0,1;0,05; 0,02

Допустимый уход баланса:

(при уменьшении реограммы на 10%)………±5 Ом (R₆ = 100 Ом)

Собственные шумы, приведенные к входу не более………..0,0025 Ом

Взаимовлияния каналов (на эквиваленте)…… ……. не более 2%

Выходное сопротивление при записи реограммы……………...5 кОм

Выходное сопротивление при записи дифф. реограммы………200 кОм

Полоса пропускания…………………….0-500 Гц; 0,2-500 Гц

Ток высокой частоты через объект не более………………...2,5 мА

Постоянная дифференцирования…………………10 мс

Время непрерывной работы без смены питания:

-           генератора не менее…………………………………...100 час.

-           усилителей не менее…………………………………..500 час.

Габаритные размеры………………………….324 х 234 х 120 ммс прибора (без соединительных шлангов)…………… ………....4,8 кг

2.4 Конструкция прибора

Прибор выполнен в виде малогабаритного блока с наклонной лицевой панелью, на которую выведены вое ручки управления. В центре панели расположены общие органы управления, слева и справа - попарно - симметрично органы управления каждым каналом (рис. 3).

Общие органы управления:

Тумблер включения генератора………………………………..5

Тумблер включения каналов……………………………………2

Микроамперметр (индикатор)……………………………….....4

Переключатель амплитуда калибровки……………………....11

Кнопки калибровки…………………………………………….13

Переключатель настройки и контроля…………………….....12

Органы управления каналами:

Входные гнезда для подключения пациента…………………..16

Эквивалентное сопротивление…………………………………15

Тумблер подключений эквивалента либо пациента…………..14

Сопротивление баланса………………………………………....17

Ручка усиления…………………………………………………....6

Переключатель полосы пропускания…………………………....1

Батареи питания генератора (9) и каналов (10) расположены на нижнем основании прибора. На задней стенке расположен выходной разъем (З, 8) а клеммы заземления прибора (7).

Рисунок 3 - Внешний вид реографа 4-РГ-1

3.      Расчет ВЧ генератора

На рисунке 4 избражена принципиальная электрическая схема транзисторного ВЧ генератора.

Рисунок 4 - Транзисторный ВЧ генератор

Основными техническими данными для расчета транзисторного LC-генератора являются: выходная мощность, отдаваемая автогенератором в нагрузку, Р_вых и частота генерируемых колебаний f_р.

.Выбираем тип транзистора. При заданном значении Р_вых мощность Р_к, которую должен отдать транзистор в контур, составляет

Р_К =Р_вых/η_к,

 Вт

Где η_к, - КПД контура.

При повышенных требованиях к стабильности частоты автогенератора КПД контура η_к выбирают в пределах 0,1…1,2. В остальных случаях его можно увеличить до 0,5…0,8.

Выбирая транзистор, необходимо исходить из условий

Р_{К max} >P_K,max ≥f_p,

где Р_{К max} -максимально допустимая рассеиваемая мощность коллектора выбранного транзистора; f_max -максимальная частота генерации биполярного транзистора; выбранного типа. Параметры Р_{К max} = 0,4Вт. и f_max = 200 МГц. высокочастотных транзисторов приведены в справочнике по полупроводниковым приборам (взяли транзистор КТ 668В, или его аналог BС393)

. Рассчитываем энергетический режим работы генератора. Выбираем импульс коллекторного тока косинусоидальной формы. Считая, что в критическом режиме угол отсечки тока коллектора θ=90^°,по графикам (рис. 5) находим коэффициенты разложения импульса коллекторного тока α₁=0,5; α₀=0,318.

Находим усредненное время движения τ_п носителей тока между p-n переходами транзистора по формуле

τ_п≈1/2πf_max

 c

Вычисляем угол пробега носителей тока

φ_пр=2πf_рτ_п

Вычисленное по формуле значение φ_пр выражаем в градусах. При этом учитываем, что при φ_пр=2π угол φ_пр=360^°. Находим угол отсечки тока эмиттера

θ_э=θ-φ^°_пр

;

По графикам (рис. 5) определяем коэффициенты разложения импульса эмитерного тока α_1(Э) и α_0(Э)

Рисунок 5 - График для определения значений

Напряжение питания можно определить по формуле при этом U_k берем в пределах 0,8…1,2 В:

;

Коэффициент использования коллекторного напряжения выбираем из соотношения:

ξ=1-2Р_к/Е_к²S_крα₁

;

Определяем основные электрические параметры режима:

амплитуду переменного напряжения на контуре

_мк=ξ|E_k|;

амплитуду первой гармоники коллекторного тока

_K1m=2P_K/U_mk;

Постоянную составляющую коллекторного тока

_Kпост=α₀I_K1m/α₁

;

максимальное значение импульса тока коллектора

_{Kи max}= I_K1m/α₁

;

мощность, расходуемую источником тока в цепи коллектора

Р₀=I_Kпост|E_k|;

;

мощность, рассеваемую на коллекторе

Р_{К рас}=Р₀-Р_К

;

причем необходимо, чтобы

Р_{К рас}<Р_{K max}

КПД по цепи коллектора

η=Р_К/Р₀

;

Эквивалентное резонансное сопротивление контура в цепи коллектора

_рез=U_mk/I_K1m

;

Находим коэффициент передачи тока транзистора в схеме с ОБ на рабочей частоте

_21б(f_p)=h_21б/

;

Где h_21б(f_p) - коэффициент передачи тока; f _h21б(f_p)-предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора выбранного типа.

Для определения параметра h_21б (значение которого не всегда приводится в справочниках) может быть использована формула

_21б= h_21э/(1+ h_21э)

;

где h_21э-коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ.

Определяем амплитуду первой гармоники тока эмиттера

_Э1m=I_K1m/ h_21б(fp)

;

Находим амплитуду импульса тока эмиттера

_{Э u max}= I_Э1m/α_1(Э)

;

Рассчитываем амплитудное значение напряжения возбуждения на базе транзистора, необходимое для обеспечения импульса тока эмиттера I_{Э u max} без учета влияния частоты

_БЭm= I_{Э u max}/(1-cosθ_э)S₀ 

;

где S₀-крутизна характеристики тока коллектора.

Определяем напряжение смещения на базе, обеспечивающее угол отсечки тока эмиттера,_БЭсм=Е_с+ U_БЭmcosθ_э

;

где Е_с - напряжение среза.

В случаях, когда значение напряжения среза в справочниках не приводится, его можно найти по идеализированным (спрямленным) характеристикам транзистора или ориентировочно принять равным Е_с=(0,1…0,2)В (полярность Е_с зависит от типа транзистора: для транзисторов p-n-p на базу подается отрицательное, а для транзисторов n-p-n положительное напряжение смещения).

Находим коэффициент обратной связи

К_св= U_БЭm/U_mk

;

Для выполнения условия баланса амплитуд необходимо выполнить условие

К_св≥ К_{св min}=1/S₀R_рез

;

Рассчитываем сопротивление резисторов R1и R2. Для этого задаемся током делителя, проходящим через эти резисторы

_Д≈5I_Бпост

;

где I_Бпост - постоянная составляющая тока базы выбранного транзистора. Величину I_Бпост можно найти по формуле_Бпост=I_Kпост/h_21Э

;

(h_21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора выбранного типа в схеме с общим эмиттером).

Зная I_Д, находим R2 по формуле

₂= U_БЭсм/ I_Д

;

Поскольку ток делителя на много превышает ток базы транзистора, последний не изменит существенно ток, протекающий через резистор R1. поэтому

₁=(E_k-U_БЭсм)/I_Д

;

Мощность, рассеиваемая на резисторах R1 и R2, соответственно равна P_R1=I²_ДR₁; P_R2=I²_ДR₂. С учетом этих значений выбираем стандартный тип резисторов R1 и R2 по шкале номинальных сопротивлений резисторов.

Находим емкость разделительного конденсатора С1 С₁≈(10…20) С_э, где С_э - емкость эмитерного перехода транзистора.

С1 = 15·70 Пф = 1 нФ

Элементы цепочки термостабилизации R₃C₂ определяются так же, как и при расчете избирательного усилителя на транзисторе

;

где U_Э падение напряжения на резисторе эмиттерной стабилизации (порядка (0,7…1,5)В); I_Эпост - постоянный ток эмиттера (I_Эпост≈I_Кпост).

Емкость конденсатора С2 равна

С2≥(15…30)10³/f_pR₃

;

Где С2 выражается в микрофарадах; f_p - мегагерцах; R₃ - в килоомах

Стандартные значения R₃ и С2 выбираются по шкале нормальных значений сопротивлений резисторов и емкостей конденсаторов

. Определяем параметры контура.

Добротность нагруженного контура подсчитывается по формуле

Q'=Q(1-η_к)

;

где η_к - КПД контура.

Находим минимальную общую емкость контура С_{к min} по приближенной формуле

С_{к min}≈(1…2)λ_р

;

λ_р - рабочая длина волны колебаний (λ_р=с/f_p, где с - скорость света), м; С_{к min} выражается в пикофарадах).

В общую емкость контура С_{к min} входят емкость конденсатора С3 (рис. 9.2 а) и выносимые (паразитные) емкости: выходная емкость транзистора, емкость катушки контура, емкость монтажа и др. Общая величина вносимой емкости С_вн обычно составляет десятки пикофарад. Следовательно, емкость конденсатора контура С3 мажет быть найдена по формуле

С₃≈ С_{к min}-С_вн

;

Вполне понятно, что формула позволяет установить лишь ориентировочное значение емкости С3; более точное значение определяется в процессе настройки схемы.

Рассчитываем общую индуктивность контура L_k

_k=0.282λ²_p/С_{к min}

;

где L_k выражается в микрогенри; λ_р - в метрах; С_{к min} - в пикофарадах.

Определим волновое (характеристическое) сопротивление контура

ρ=10³

;

(ρ выражается в омах; L_k - в микрогенри; С_{к min} - в пикофарадах.

Находим сопротивление потерь контура

_п=ρ/Q^'

;

Рассчитываем сопротивление, вносимое в контур

_вн= R_пη_к/(1-η_к)

;

Полное сопротивление контура равно

_K= R_п+ R_вн

;

Определяем амплитуду колебательного тока в нагруженном контуре

_mk=

;

Находим величину индуктивности L2 связи контура с базой транзистора (приложение)

₂=K_свL_k

;

Определяем величину индуктивности связи контура с коллектором транзистора

₁=L_k-L₂

;

4.      Расчет аттенюатора

Схема аттенюатора на основе одного трехдецибельного моста представлена на рисунке 6. Вход и выход являются взаимно развязанными плечами. Мощность, поступающая на вход аттенюатора, делится поровну между плечами моста, к которым подключены p-i-n - диоды. Падающая мощность частично поглощается диодами, частично отражается. Отраженные сигналы складываются синфазно на выходе и противофазно на входе. Аттенюатор оказывается согласованным с генератором при любых сопротивлениях диодов.

четырехканальный реограф транзисторный

Рисунок 6 - Схема аттенюатора

В схеме будем использовать p-i-n - диод 2А503А, имеющий подходящие электрические параметры и конструктивное исполнение. Внешний вид диода показан на рисунке 7.

Рисунок 7 - Внешний вид диода АА721А

Необходимым требованиям отвечает двухшлейфный направленный ответвитель, представляющий собой два отрезка линии передачи, соединенных между собой двумя шлейфами, длина которых равна четверти длины волны в линии (рисунок 8,9).

Рисунок 8 - Топология двухшлейфного направленного ответвителя

Рисунок 9 - Топология двухшлейфного направленного ответвителя

В данном ответвителе

 Ом,

а  Ом.

При Z_в = 35,35 Ом, ширина микрополосковой линии W = 2,13 мм, длина волны в линии

 мм,

 мм.

При Z_в = 50 Ом, ширина микрополосковой линии W = 1,01 мм, длина волны в линии

 мм,

 мм.

Требуется рассчитать блокировочный дроссель L2 и блокировочную емкость С1, а также разделительные емкости С2 и С3.

,

нГн.

Выберем L2 = 22нГн.

Емкости выбираем из условия:

;

Ф.

Выберем С_бл = 4,7 пФ.

Разделительные емкости найдем из условия:

 Ом.

Тогда

 Ф.

Выберем С_р = 47 пФ.

Заключение

В данной курсовой работе был рассмотрен реограф 4-РГ-1. Были отображены его структурная и принципиальная схемы, внешний вид, технические данные. Подробно описан принцип работы прибора, а так же принцип измерения и построения реограммы.

Список литературы

1. Кулаичев А.П. Компьютерная электрофизиология в клинической и исследовательской практике. М.: НПО,1999

. http://lainslav.narod.ru/med.files/reograf.htm

. Титце У., Шенк К. Полупроводниковая схемотехника. М.: МИР, 1982

. Маята В.С. Диагностическая и терапевтическая техника. М.: Медицина, 1969