Полевые транзисторы

Государственный университет природы, общества и человека "Дубна"

Кафедра персональной электроники

Реферат

по дисциплине

Физические основы микроэлектроники

"Полевые транзисторы"

Выполнила студентка гр.3142

Дудина Е.А.

Проверил: Раевский Г.П.

Дубна, 2012

Оглавление

Введение

Устройство полевого транзистора

Схемы включения полевого транзистора

Эквивалентная схема полевого транзистора

Параметры полевого транзистора

Частотные свойства

Шумовые свойства

Тепловые параметры

Максимально допустимые параметры

Список использованной литературы

Введение

Полевой транзистор - полупроводниковый <#"564034.files/image001.gif">

Рис.1. Структура полевого транзистора

Полевой транзистор с управляющим р-п - переходом - это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала р-п - переходом, смещенным в обратном направлении. Электрод, из которого в канал входят носители заряда, называют истоком; электрод, через который из канала уходят носители заряда, - стоком; электрод, служащий для регулирования поперечного сечения канала, - затвором. При подключении к истоку отрицательного (для п-канала), а к стоку положительного напряжения (рис.1) в канале возникает электрический ток, создаваемый движением электронов от истока к стоку, т.е. основными носителями заряда. В этом заключается существенное отличие полевого транзистора от биполярного. Движение носителей заряда вдоль электронно-дырочного перехода является второй характерной особенностью полевого транзистора.

Электрическое поле, создаваемое между затвором и каналом, изменяет плотность носителей заряда в канале, т.е. величину протекающего тока. Так как управление происходит через обратно смещенный р-п-переход, сопротивление между управляющим электродом и каналом велико, а потребляемая мощность от источника сигнала в цепи затвора мала. Поэтому полевой транзистор может обеспечить усиление электромагнитных колебаний как по мощности, так и по току и напряжению.

Рис.2. Структура полевого транзистора с изолированным затвором: а) - с индуцированным каналом; б) - со встроенным каналом.

Полевой транзистор с изолированным затвором - это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала слоем диэлектрика. Полевой транзистор с изолированным затвором состоит из пластины полупроводника (подложки) с относительно высоким удельным сопротивлением, в которой созданы две области с противоположным типом электропроводности (рис.2). На эти области нанесены металлические электроды - исток и сток. Поверхность полупроводника между истоком и стоком покрыта тонким слоем диэлектрика. На слой диэлектрика нанесен металлический электрод - затвор. Получается структура, состоящая из металла, диэлектрика и полупроводника. Поэтому полевые транзисторы с изолированным затвором часто называют МДП - транзисторами или МОП - транзисторами (металл - оксид - полупроводник).

Существуют две разновидности МДП-транзисторов с индуцированным и со встроенным каналами.

В МДП-транзисторах с индуцированным каналом проводящий канал между сильнолегированными областями истока и стока и, следовательно, заметный ток стока появляются только при определенной полярности и при определенном значении напряжения на затворе относительно истока (отрицательного при р-канале и положительного при п-канале). Это напряжение называют пороговым. Так как появление и рост проводимости индуцированного канала связаны с обогащением его основными носителями заряда, то считают, что канал работает в режиме обогащения.

В МДП - транзисторах со встроенным каналом проводящий канал, изготавливается технологическим путем, образуется при напряжении на затворе равном нулю. Током стока можно управлять, изменяя значение и полярность напряжения между затвором и истоком. При некотором положительном напряжении затвор - исток транзистора с р - каналом или отрицательном напряжении транзистора с n - каналом ток в цепи стока прекращается. Это напряжение называют напряжением отсечки. МДП - транзистор со встроенным каналом может работать как в режиме обогащения, так и в режиме обеднения канала основными носителями заряда.

Схемы включения полевого транзистора

Рис.3. Схемы включения полевого транзистора.

Полевой транзистор в качестве элемента схемы представляет собой активный несимметричный четырехполюсник, у которого один из зажимов является общим для цепей входа и выхода. В зависимости от того, какой из электродов полевого транзистора подключен к общему выводу, различают схемы: с общим истоком и входом затвор; с общим стоком и входом на затвор; с общим затвором и входом на исток. Схемы включения полевого транзистора показаны на рис.3.

По аналогии с ламповой электроникой, где за типовую принята схема с общим катодом, для полевых транзисторов типовой является схема с общим истоком.

Эквивалентная схема полевого транзистора

Рис. 4. Эквивалентная схема полевого транзистора.

Эквивалентная схема полевого транзистора, элементы которой выражены через у-параметры, приведен на рис.4. При таком подключении каждая из проводимости имеет физический смысл.

Параметры полевого транзистора

Входная проводимость определяется проводимостью участка затвор - исток у_ЗИ. = у₁₁ + у_12; выходная проводимость - проводимость участка сток - исток у_СИ = у₂₂ + у₂₁; функции передачи - крутизной вольт-амперной характеристики S = у₂₁ - у₁₂; функция обратной передачи - проходной проводимостью у_ЗС = у₁₂. Эти параметры применяются за первичные параметры полевого транзистора, используемого в качестве четырехполюсника. Если первичные параметры четырехполюсника для схем с общим истоком определены, то можно рассчитать параметры для любой другой схемы включения полевого транзистора.

Начальный ток стока I_{С. нач} - ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю и напряжении на стоке, равном или превышающим напряжение насыщения. Остаточный ток стока I_{С. ост} - ток стока при напряжении между затвором и истоком, превышающем напряжение отсечки. Ток утечки затвора I_{З. ут} - ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой. Обратный ток перехода затвор - сток I_ЗСО - ток, протекающий в цепи затвор - сток при заданном обратном напряжении между затвором и стоком и разомкнутыми остальными выводами. Обратный ток перехода затвор - исток I _ЗИО - ток, протекающий в цепи затвор - исток при заданном обратном напряжении между затвором и истоком и разомкнутыми остальными выводами.

Крутизна характеристик полевого транзистора S - отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.

Входная емкость полевого транзистора С_11и - емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе в схеме с общим истоком. Выходная емкость полевого транзистора С_22и - емкость между стоком и истоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком. Проходная емкость полевого транзистора C_{12и -} емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком. Емкость затвор - сток С_ЗСО - емкость между затвором и стоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах. Емкость затвор - исток С_ЗИО емкость между затвором и истоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах.

Коэффициент усиления по мощности К_ур - отношение мощности на выходе полевого транзистора к мощности на входе при определенной частоте и схеме включения.

Частотные свойства

Частотные свойства полевых транзисторов определяются постоянной времени RC - цепи затвора. Поскольку входная емкость С_11и у транзисторов с р-п переходом велика (десятки пикофарад), их применение в усилительных каскадах с большим входным сопротивлением возможно в диапазоне частот, ре превышающих сотен килогерц - единиц мегагерц.

При работе в переключающих схемах скорость переключения полностью определяется постоянной времени RC - цепи затвора. У полевых транзисторов с изолированным затвором входная емкость значительно меньше, поэтому их частотные свойства намного лучше, чем у полевых транзисторов с р-п - переходом.

Граничная частота определяется по формуле f_гр. =159/С_11и, где f_гр = частота, МГц; S - крутизна характеристики транзистора, мА/В; С_11и - емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току выходной цепи, пФ.

Шумовые свойства

Шумовые свойства полевых транзисторов оцениваются коэффициентом шума К_Ш, который мало зависит от напряжения сток - исток, тока стока и окружающей температуры (ниже 50 ⁰ С) и монотонно возрастает с уменьшением частоты и внутреннего сопротивления источника сигнала. Коэффициент шума измеряют в заданном режиме по постоянному току U_СИ, I_C на определенной частоте.

Вместо коэффициента шума иногда указывают шумовое напряжение полевого транзистора U_ш - эквивалентное шумовое напряжение, приведенное ко входу, в полосе частот при определенном полном сопротивлении генератора в схеме с общим истоком; шумовой ток I_ш - эквивалентный шумовой ток, приведенный ко входу, при разомкнутом входе в полосе частот в схеме с общим истоком.

Тепловые параметры

Тепловые параметры полевого транзистора характеризуют его устойчивость при работе в диапазоне температур. При изменении температуры свойства полупроводниковых материалов изменяются. Это приводит к изменению параметров полевого транзистора, в первую очередь, тока стока, крутизны и тока утечки затвора.

Зависимость изменения тока стока от температуры определяется двумя факторами: контактной разностью потенциалов р-п перехода и изменением подвижности основных носителей заряда в канале. При повышении температуры контактная разность потенциалов уменьшается, сопротивление канала падает, а ток увеличивается. Но повышение температуры приводит к уменьшению подвижности носителей заряда в канале и тока стока. При определенных условиях действие этих факторов взаимнокомпенсируется и ток полевого транзистора перестает зависеть от температуры. На рис.5. приведены стокозатворные характеристики при различных температурах окружающей среды и указано положение термостабильной точки.

Рис.5. Сток - затворные характеристики полевого транзистора при разных температурах.

Рис.6. Зависимость тока утечки затвора полевого транзистора от температуры.

Зависимость крутизны характеристики от температуры у полевых транзисторов такая же как и у тока стока. С ростом температуры ток утечки затвора увеличивается. Хотя абсолютное изменение тока незначительно, его надо учитывать при больших сопротивлениях в цепи затвора. В этом случае изменение тока утечки затвора может вызвать существенное изменение напряжения на затворе полевого транзистора и режима его работы. Температурная зависимость тока утечки затвора полевого транзистора с р-п переходом приведена на рис.6. В полевом транзисторе с изолированным затвором ток затвора практически не зависит от температуры.

Максимально допустимые параметры

Максимально допустимые параметры определяют значения конкретных режимов полевых транзисторов, которые не должны превышаться при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность. К максимально допустимым параметрам относятся: максимально допустимое напряжение затвор - исток U_ЗИmax, затвор - сток U_ЗСmax, сток - исток U_СИmax, максимально допустимое напряжение сток - подложка U_СПmax, исток - подложка U_ИПmax, затвор - подложка U _ЗПmax. Максимально допустимый постоянный ток стока I _Сmax максимально допустимый прямой ток затвора I_{З (пр) max,} максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность Р_max.

Вольт-амперные характеристики полевых транзисторов

а                                                                б

Рис.7. Вольт-амперные характеристики полевого транзистора со встроенным каналом n - типа: а) - стоковые; б) - стоко-затворные.

Вольт-амперные характеристики полевых транзисторов устанавливают зависимость тока стока I _C от одного из напряжений U_СИ или U_ЗИ при фиксированной величине второго.

В рекомендации по использованию транзисторов для случая полевых транзисторов следует внести дополнения:

. На затвор полевых транзисторов с р-п (отрицательное для транзисторов с р - каналом и положительным для транзистора с п - каналом).

. Полевые транзисторы с изолированным затвором следует хранить с закороченными выводами. При включении транзисторов в схему должны быть приняты все меры для снятия зарядов статического электричества. Необходимую пайку производить на заземленном металлическом листе, заземлить жало паяльника, а так же руки монтажника при помощи специального металлического браслета. Не следует применять одежду из синтетических тканей. Целесообразно подсоединять полевой транзистор к схеме, предварительно закоротив его выводы.

Список использованной литературы

1. Терещук Р.М. Полупроводниковые приемно-усилительные устройства: Справочник радиолюбителя / 4-е издание, стер. - Киев: Наук. Думка 1989. - 800с.

. Бочаров Л.Н. Полевые транзисторы. - М.: Радио и связь, 1984, - 80 с.

. Полупроводниковые приборы: транзисторы: Справочник / Н.Н. Горюнова. 1985.904с.