Тема: Фотоэлектрические явления в полупроводниках

Ключевые слова. Дата загрузки. 21.06.2004. Добавил. Внутренний фотоэффект в полупроводниках .
Фотоэлектрические явления возникают при поглощении веществом электромагнитного излучения оптического диапазона.

1.Тауц Я. Фото- и термоэлектрические явления в полупроводниках . М.: Высшая школа, 1962. 253 с. 2.Исаев М.Ш. Фотоэлектрические исследования приповерхностной области диффузионно-легированного Si<Cr> // Вестник ТашГТУ, 2002. №3.с. 15-20.

Явления оптической и термической перезарядки играют важную роль в полупроводниках и полупроводниковых структурах, проявляясь в различных фотоэлектрических эффектах и в процессе работы приборов.

Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках . В современной электронной технике широко используются полупроводниковые приборы, основанные на принципах фотоэлектрического и электрооптического преобразования сигналов.

Работа ФЭ основана на внутреннем фотоэлектрическом эффекте в полупроводниках . Внешние радиационные (световые, тепловые...
...4 разности потенциалов U0 - ЭДС холостого хода ФЭ. Эти явления могут происходить даже при отсутствии освещения р-п перехода.

Работа ФЭ основана на внутреннем фотоэлектрическом эффекте в полупроводниках . Внешние радиационные (световые, тепловые...
...4 разности потенциалов U0 - ЭДС холостого хода ФЭ. Эти явления могут происходить даже при отсутствии освещения р-п перехода.

Работа ФЭ основана на внутреннем фотоэлектрическом эффекте в полупроводниках . Внешние радиационные (световые, тепловые...
...4 разности потенциалов U0 - ЭДС холостого хода ФЭ. Эти явления могут происходить даже при отсутствии освещения р-п перехода.