Тема: Кристалізація процесу виготовлення цукрової начинки

Якщо кристал з іонним типом звязку знаходиться у зовнішньому електричному полі, то різнойменно заряджені іони змістяться під дією сил поля у протилежних напрямках - виникне електричний дипольний момент.

При введенні атомів у кристал внаслідок хаотичного розміщення інтеркалянта, потенціальний рельєф в інтеркалаті HxGaSe набуває більш періодичного характеру, ніж у "чистому" GaSe (це впливає на розсіювання екситонів), також зменшується екситонний...

...і діаграмах під конкретний корпус і кристал . На діаграмах також показано, до якого банку відноситься конкретний контакт введення-висновку. В рамках конкретного типу корпусу мікросхеми число контактів і може мінятися залежно від ємністі кристала .

Використовується також нерезонансний метод збудження гіперзвуку з поверхні діелектричного п’єзоелектричного кристала . Кристал поміщається торцем в електричному полі СВЧ (у більшості випадків - в об'ємний резонатор).

Надзвичайними оптичними властивостями володіють системи типу «закручений нематик». Таку систему можна отримати наступним чином: рідкий кристал поміщають між двома скляними пластинками, поверхні яких оброблені таким чином, щоб шар нематика...

Опис процесу розсіяння нормальних коливань один на одному зручно вести на мові фононів, розглядаючи термічно збуджений кристал як ящик, заповнений фононами. У гармонійному наближенні, в якому нормальні коливання решіток є незалежними, фонони...

Навіть у тому випадку, коли первинний пучок світла падає на кристал нормально, заломлений пучок розділяється на два, причому один з них є продовженням первинного, а другою відхиляється.