Тема: Параметры полевого транзистора

Стоко - затворная характеристика полевого транзистора показывает зависимость тока Iс от напряжения Uзи при фиксированном напряжении Uси: Ic = f(Uси) при Uси = const (рис. 5.3, б). 5.1.3 Основные параметры .

Характеристики и параметры МДП транзисторов можно измеряют по точкам на стандартных измерительных приборах
Масса транзистора не более 0,7 г. Рис 8. Возможное сечение структуры полевого транзистора с изолированным затвором и каналом n- типа.

Термин «МДП- транзистор » используется для обозначения полевых транзисторов , в которых управляющий электрод - затвор отделен от активной области полевого ...
...но это вещество токсично и канцерогенно [9]. 2.2 Основные параметры МДП- транзистора .

Тепловые параметры полевого транзистора характеризуют его устойчивость при работе в диапазоне температур. При изменении температуры свойства полупроводниковых материалов изменяются.

Тепловые параметры полевого транзистора характеризуют его устойчивость при работе в диапазоне температур. При изменении температуры свойства полупроводниковых материалов изменяются.

. Для рабочей точки =5 В, =1 мА параметры полевого транзистора имеют следующие значения: S=3,75 мА/В, Rст,= 20 кОм, = -0,8 В.

надежность полевых транзисторов выше надежности биполярных. .2 Принцип действия полевого транзистора с индуцированным каналом.
Рисунок 6 - Ввод физических констант. Далее нужно ввести физические параметры самого транзистора .