Тема: Емкость резкого p-n перехода

  • Вид работы:
    Курсовая работа (т)
  • Предмет:
    Физика
  • Язык:
    Русский
    ,
    Формат файла:
    MS Word
    153,23 kb
    Скачать
  • Опубликовано:
    2009-11-22
Вы можете узнать стоимость помощи в написании студенческой работы.
Помощь в написании работы, которую точно примут!

Похожие работы

 
  • Изучение электрических свойств p - n перехода
    От приложенного напряжения зависит не только проводимостью но и электрическая емкость p - n перехода . Для барьерной емкости резкого симметричного p - n перехода имеем: Для резкого несимметричного перехода при NA>>ND.
    СкачатьСкачать документ Читать onlineЧитать online
  • Электронно-дырочный переход
    ...с этим различают две емкости диода - барьерную и диффузионную. При этом: [pic] Барьерная емкость . Для резкого p +...
    Режим электрического пробоя p - n - перехода находит практическое применение для стабилизации напряжения. Такие диоды носят название...
    СкачатьСкачать документ Читать onlineЧитать online
  • Электронные цепи и приборы (шпаргалка)
    ... p - n перехода также уменьшается h’<h. Дрейфовый ток уменьшается, диффузионный ток резко возрастает. Динамическое равновесие нарушается и ч/з p - n переход протекает прямой ток
    Конденсатор. В качестве него применяется емкость p - n - перехода . Резистор.
    СкачатьСкачать документ Читать onlineЧитать online
  • Определение параметров p - n перехода
    2) тип p - n переход – резкий и несимметричный. 3) тепловой обратный ток () – 0,1 мкА. 4) барьерная ёмкость () – 1 пФ.
    4. Расчет параметров p - n перехода . a) величина равновесного потенциального барьера. б) контактная разность потенциалов.
    СкачатьСкачать документ Читать onlineЧитать online
  • Модели полупроводниковых диодов
    По совмещенному графику видно, что при обратных напряжениях на переходе преобладает барьерная емкость , а при прямых напряжениях – диффузионная емкость . Площадь p - n перехода непосредственно учитывается в модели барьерной емкости
    СкачатьСкачать документ Читать onlineЧитать online
  • Электроника
    Барьерная имеет место при обратном смещении p - n перехода . Запирающий слой выступает как диэлектрик =>конденсатор e=f(U) Эта емкость использована в варикапах.
    СкачатьСкачать документ Читать onlineЧитать online
  • Изучение свойств P - N - перехода различными методами
    В результате сопротивление p - n перехода резко уменьшается и через него начинает течь электрический ток, величина которого прямо пропорциональна приложенному напряжению.
    СкачатьСкачать документ Читать onlineЧитать online
Не нашли материал для своей работы?
Поможем написать уникальную работу
Без плагиата!