Тема: Исследование процессов ионного легирования полупроводниковых материалов

...получения и обработки полупроводниковых материалов и создании приборов на их основе. Суть же радиационного (или...
В настоящее время в электронной промышленности ионная имплантация наиболее широко применяется для ионного легирования кремния при...

Требования к свойствам материалов по мере развития техники непрерывно растут, причём подчас...
...в зависимости от состава и т.п. Важнейшее место в этих исследованиях должно занять изучение процессов диффузии примесей германия, вопросов изменения...

Требования к свойствам материалов по мере развития техники непрерывно растут, причём подчас...
...в зависимости от состава и т.п. Важнейшее место в этих исследованиях должно занять изучение процессов диффузии примесей германия, вопросов изменения...

...к наноструктурам можно отнести и ряд других материалов : фуллерены, пористые кремниевые трубки, некоторые биологические объекты.
...и ширина минизоны определяется конкретным типом сверхрешетки. 4.5 Исследование полупроводниковых сверхрешеток.

...плазменно- ионных покрытий, ионного легирования , лазерной закалки и модификации, а также...
– температуру подложки при распылении не выше 60°С (140°F). – возможность последовательного распыления нескольких различных материалов в одном процессе

Большинство процессов обработки материалов лучом лазера производится при плотностях потока 103— 107 Вт/см2.
...мышьяка и других элементов для получения электрических структур типа р-n-переходов. Глубина ионного легирования мала, обычно менее 1 мкм.