Тема: Синтез электронных схем на компонентном уровне и компенсация влияния паразитных емкостей полупроводниковых компонентов

...характерные для микросхемотехники на компонентном уровне . В зависимости от типа полупроводникового прибора (транзистора...
...в перестраиваемых схемах дополнительный источник погрешности, связанный с влиянием паразитных емкостей настоящих ключей...

...разделительных () и блокировочных () емкостей уже можно пренебречь, а влияние инерционности БТ и еще незначительно.
...для снижения уровня НИ. Более подробное описание схем УМ содержится в [1,9]. 5. УСИЛИТЕЛИ ПОСТОЯННОГО ТОКА.