Тема: Технология получения монокристаллического InSb p-типа

  • Вид работы:
    Курсовая работа (т)
  • Предмет:
    Информатика, ВТ, телекоммуникации
  • Язык:
    Русский
    ,
    Формат файла:
    MS Word
    33,95 kb
    Скачать
  • Опубликовано:
    2010-12-01
Вы можете узнать стоимость помощи в написании студенческой работы.
Помощь в написании работы, которую точно примут!

Похожие работы

 
  • Фотоприемники на основе твердого раствора кадмий-ртуть-телур (КРТ)
    Примером собственных полупроводников могут служить химически чистые Ge, Si, а также многие химические соединения: InSb , GaAs, CdS и др.
    б) расположение уровня Ферми в п/п p - типа при 0 К; в) график зависимости ln от 1/Т для примесного п/п.
    СкачатьСкачать документ Читать onlineЧитать online
  • Разработка интегральных микросхем
    Широкому применению этого материала в микроэлектронной технологии препятствует сложность его получения и обработки. Арсенид галлия GaAs , фосфид...
    6. Подложку p - типа следует соединить с источником отрицательной полярности. 7. Если в результате...
    СкачатьСкачать документ Читать onlineЧитать online
  • Введение в микроэлектронику
    ...что основные принципы микроэлектроники – групповой метод и планарная технология – были освоены при изготовлении транзисторов в конце 50 годов.
    p - типа концентрация дырок значительно больше концентрации электронов, pp >np, но всегда nppp = ni2.
    СкачатьСкачать документ Читать onlineЧитать online
  • Органические полупроводники
    ...с элементами V группы (Р, As, Sb), называются полупроводниками типа AIII BV (GaAs, InSb , GaP, InP и т.п.). Атомы III группы имеют 3 валентных электрона, а V...
    Синтез красителей стал возможным после открытия Н. Н. Зининым общего метода получения ...
    СкачатьСкачать документ Читать onlineЧитать online
Не нашли материал для своей работы?
Поможем написать уникальную работу
Без плагиата!